中国科学院光电技术研究所罗先刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利基于形状记忆合金动态调控的吸波材料及制备石墨烯电容层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115610034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211346196.0，技术领域涉及：B32B7/12；该发明授权基于形状记忆合金动态调控的吸波材料及制备石墨烯电容层的方法是由罗先刚;彭金强;黄成;计琛;佘影设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于形状记忆合金动态调控的吸波材料及制备石墨烯电容层的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于形状记忆合金动态调控的吸波材料及制备石墨烯电容层的方法，该材料包含叠置的屏蔽层、第一形状记忆材料、石墨烯电容层、第二形状记忆材料、介质材料，其中，介质材料中嵌入了亚波长结构吸波层；第一形状记忆材料两端分别连接屏蔽层与石墨烯电容层，第二形状记忆材料两端分别连接石墨烯电容层和亚波长结构吸波层；可通过施加电压调控石墨烯电容层的等效方阻；通过分别在第一形状记忆材料、第二形状记忆材料两端施加电压控制它们的伸缩长度。本发明能够灵活地切换工作状态，实时地调整吸波频带和幅度，结构简单、可设计性强，对入射电磁波具有良好可调控效果，能够满足日益复杂的电磁环境需求。
本发明授权基于形状记忆合金动态调控的吸波材料及制备石墨烯电容层的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于形状记忆合金动态调控的吸波材料，其特征在于：包含叠置的屏蔽层100、第一形状记忆材料201、石墨烯电容层400、第二形状记忆材料202和介质材料302，其中，介质材料302中嵌入了亚波长结构吸波层500；第一形状记忆材料201两端分别连接屏蔽层100与石墨烯电容层400，第二形状记忆材料202两端分别连接石墨烯电容层400和亚波长结构吸波层500； 石墨烯电容层400，可通过施加电压调控所述石墨烯电容层400的等效方阻； 通过分别在第一形状记忆材料201、第二形状记忆材料202两端施加电压控制所述第一形状记忆材料201、所述第二形状记忆材料202的伸缩长度；所述第一形状记忆材料201、所述第二形状记忆材料202为铬镍记忆合金丝，由里及表均附着有绝缘漆和导电层；施加电压时，电源正负极直接连接到所述第一形状记忆材料201、所述第二形状记忆材料202两端的所述导电层上。
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