北京北方华创微电子装备有限公司李玮乐获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利发光器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211336598.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权发光器件的制造方法是由李玮乐设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光器件的制造方法，包括：在半导体外延片的表面上沉积透明导电层；利用第一刻蚀气体对透明导电层进行刻蚀，形成预定图案，第一刻蚀气体包括含溴气体；利用第二刻蚀气体对半导体外延片进行刻蚀。本发明能够改善半导体外延片的表面粗糙度以及刻蚀形貌的一致性，并简化工艺流程。
本发明授权发光器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光器件的制造方法，其特征在于，包括： 在半导体外延片的表面上沉积透明导电层，所述半导体外延片为GaN外延片，所述透明导电层为ITO膜层； 在所述透明导电层上形成图案化的光刻胶掩膜层； 利用第一刻蚀气体对所述透明导电层进行刻蚀，形成预定图案，所述第一刻蚀气体包括含溴气体、Cl2和BCl3，所述含溴气体包括HBr； 利用第二刻蚀气体对所述半导体外延片进行刻蚀，所述第二刻蚀气体包括Cl2、BCl3和HBr； 所述利用第一刻蚀气体对所述透明导电层进行刻蚀和所述利用第二刻蚀气体对所述半导体外延片进行刻蚀为在同一工艺腔室内连续完成的两步刻蚀；在利用第二刻蚀气体对所述半导体外延片进行刻蚀时采用的腔室压力与在利用第一刻蚀气体对所述透明导电层进行刻蚀时采用的腔室压力相同。
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