联华电子日本株式会社大野文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子日本株式会社申请的专利具有深耗尽沟道的半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210817634.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权具有深耗尽沟道的半导体装置及其制造方法是由大野文隆;安田真设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有深耗尽沟道的半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，包括衬底、栅极结构、源极区、漏极区、掺杂区和沟道区。栅极结构设置在衬底中，第一导电型的源极区和漏极区分别设置在栅极结构的两侧。具有不同于第一导电类型的第二导电类型的掺杂区设置在栅极结构、源极区和漏极区下方，并与栅极结构、源极区和漏极区分离。沟道区设置在掺杂区和栅极结构之间并与掺杂区接触，并且沟道区的掺杂浓度小于掺杂区的掺杂浓度。
本发明授权具有深耗尽沟道的半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括: 衬底； 栅极结构，设置在所述衬底上； 源极区和漏极区，分别设置在所述栅极结构的两侧，所述源极区和所述漏极区为第一导电类型； 掺杂区，设置在所述栅极结构、所述源极区和所述漏极区下方并分别与所述栅极结构、所述源极区和所述漏极区分离，所述掺杂区是不同于所述第一导电类型的第二导电类型； 沟道区，设置在所述掺杂区和所述栅极结构之间，所述沟道区与所述掺杂区接触，并且所述沟道区的掺杂浓度小于所述掺杂区的掺杂浓度；以及 由所述沟道区围绕的沟槽，其中所述栅极结构设置在所述沟槽中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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