北京北方华创微电子装备有限公司曹光英获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115683482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110839855.3，技术领域涉及：G01M3/26；该发明授权一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备是由曹光英设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备，该集簇式半导体工艺设备包括传输平台和位于所述传输平台周围的腔室，所述腔室通过阀门与所述传输平台连接，各个腔室之间相互独立，所述方法包括：从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室；检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率。根据本发明实施例，可以检测出半导体工艺设备的腔室与平台连接处是否有漏气。
本发明授权一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种腔室漏率检测方法，其特征在于，应用于集簇式半导体工艺设备，所述集簇式半导体工艺设备包括传输平台和位于所述传输平台周围的腔室，所述腔室通过阀门与所述传输平台连接，各个腔室之间相互独立，所述方法包括： 从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室； 检测由所述主腔室和所述从属腔室组成的真空腔体的漏率；所述漏率基于对所述传输平台和所述从属腔室分别进行抽真空处理，在所述传输平台和所述从属腔室处于真空状态后，打开所述从属腔室与所述传输平台之间的阀门，使所述传输平台与所述从属腔室连通形成所述真空腔体，在所述真空腔体的压强稳定的情况下，对所述真空腔体进行检测来确定； 其中，所述从所述传输平台和所述腔室中确定一个主腔室和所述主腔室的从属腔室，包括： 将所述传输平台确定为所述主腔室，将至少一个所述腔室确定为所述从属腔室；所述从属腔室基于预设的标记位的取值得到；所述取值包括第一取值和第二取值，所述第一取值用于表示所述腔室需要与所述传输平台连通测试压升率，所述第二取值用于表示所述腔室利用自身独立的真空系统测试压升率。
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