长鑫存储技术有限公司孙彪获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利套刻误差的修正方法及装置、晶圆的对准检测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115685694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211091223.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻误差的修正方法及装置、晶圆的对准检测方法及装置是由孙彪;张阳;王磊磊设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻误差的修正方法及装置、晶圆的对准检测方法及装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种套刻误差的修正方法及装置、晶圆的对准检测方法及装置，在机台确定晶圆的待检测层的第一对准标记与目标层的第二对准标记之间的第一套刻误差值后，能够基于测量误差参数对根据测量得到的第一套刻误差值进行修正，得到更加准确的第二套刻误差值。由于通过测量误差参数的修正，消除了第二套刻误差值中因第一对准标记的不对称性或者缺陷造成的误差，提高了机台得到的套刻误差值的准确性，进而保证了机台可以根据准确的套刻误差值进行对准检测等处理。
本发明授权套刻误差的修正方法及装置、晶圆的对准检测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差的修正方法，其特征在于，包括： 获取晶圆的待检测层的第一对准标记相对于目标层的第二对准标记的第一套刻误差值； 根据所述待检测层对应的测量误差参数，对所述第一套刻误差值进行修正，得到第二套刻误差值；所述测量误差参数用于指示所述第一对准标记的不对称性或者缺陷对所述第一套刻误差值的影响； 所述测量误差参数与所述待检测层的测量质量参数、第一参数和第二参数相关； 其中，所述测量质量参数为测量所述第一对准标记的第一中点时，所述第一对准标记的第一导数中点与所述第一对准标记的第一中点之差； 所述第一参数用于指示所述测量质量参数和所述第一套刻误差值之间的关系； 所述第二参数用于指示所述测量质量参数对所述待检测层测量得到的第一套刻误差值的影响。
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