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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692417B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110863304.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；第一介质层、若干栅极结构以及若干源漏掺杂层；位于第一介质层和栅极结构上的第二介质层；位于第二介质层内的栅极导电层、以及位于栅极导电层上的保护层；位于第一介质层和第二介质层内的第一源漏导电开口；位于第一源漏导电开口内的第一源漏导电层，第一源漏导电层与源漏掺杂层电连接。通过先形成栅极导电层，之后再形成第一源漏导电层，使栅极导电层对应的栅极导电开口在刻蚀形成的过程中，不会受到自对准膜层的刻蚀限制而具有较大的空间，进而使得形成的栅极导电层的体积增大，能够有效降低栅极导电层和栅极结构之间的接触电阻，以此提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的鳍部； 位于所述衬底上的隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面； 位于所述隔离层上的若干栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面； 位于所述栅极结构两侧鳍部内的源漏掺杂层； 位于所述隔离层上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅极结构的侧壁，且暴露出所述栅极结构的顶部表面； 位于所述第一介质层和所述栅极结构上的第二介质层； 位于所述第二介质层内的栅极导电开口，所述栅极导电开口暴露出所述栅极结构的顶部表面，且所述栅极结构在所述衬底表面的投影位于所述栅极导电开口在所述衬底表面的投影内； 位于所述栅极导电开口内的栅极导电层，所述栅极结构在所述衬底表面的投影位于所述栅极导电层在所述衬底表面的投影内； 位于所述栅极导电层上的保护层，所述栅极导电层在所述衬底表面上的投影位于所述保护层在所述衬底表面上的投影内； 位于所述第一介质层和所述第二介质层内的第一源漏导电开口； 位于所述第一源漏导电开口内的第一源漏导电层，所述第一源漏导电层与所述源漏掺杂层电连接，且所述第一源漏导电层与所述栅极导电层之间电学隔离；其中， 以位于所述第一源漏导电开口侧壁与所述栅极导电层和所述栅极结构之间的第一介质层和第二介质层作为电隔离层，通过所述电隔离层实现所述第一源漏导电层与所述栅极导电层之间电学隔离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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