买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115696924B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110846173.5，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张思宇;李越;李志国;刘玉丽;隋振超设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有浮置栅极和栅极介质层；控制栅极，位于所述栅极介质层表面；浮置栅极连接结构，位于所述控制栅极两侧，所述浮置栅极连接结构的一部分贯穿所述栅极介质层并延伸到所述浮置栅极中；隔离结构，位于所述控制栅极和所述浮置栅极连接结构之间，用于隔离所述控制栅极和所述浮置栅极连接结构；层间介质层，覆盖所述半导体衬底、所述控制栅极、所述浮置栅极连接结构和所述隔离结构；第一接触结构、第二接触结构和第三接触结构，贯穿所述层间介质层且分别电连接所述控制栅极、所述浮置栅极连接结构和所述半导体衬底中的有源器件。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成浮置栅极材料层和栅极介质材料层； 刻蚀所述栅极介质材料层至所述浮置栅极材料层中形成第一开口； 在所述第一开口中和所述栅极介质材料层表面形成控制栅极材料层； 刻蚀位于所述半导体衬底边缘的所述控制栅极材料层、所述栅极介质材料层和所述浮置栅极材料层形成第二开口，剩余的所述浮置栅极材料层为浮置栅极，剩余的所述栅极介质材料层为栅极介质层； 刻蚀剩余的所述控制栅极材料层形成隔断所述控制栅极材料层的第三开口，其中，与所述浮置栅极连接的部分控制栅极材料层为浮置栅极连接结构，未与所述浮置栅极连接的部分控制栅极材料层为控制栅极； 在所述第三开口中形成隔离结构； 在所述第二开口中、所述浮置栅极连接结构表面、所述控制栅极表面和所述隔离结构表面形成层间介质层； 形成贯穿所述层间介质层且分别电连接所述控制栅极、所述浮置栅极连接结构、所述半导体衬底中的有源器件的第一接触结构、第二接触结构和第三接触结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯北方集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。