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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利镶嵌于铜互连中的电容器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115700913B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110856137.7，技术领域涉及：H10W20/40；该发明授权镶嵌于铜互连中的电容器结构及其形成方法是由邹晓东设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本镶嵌于铜互连中的电容器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种镶嵌于铜互连中的电容器结构及其形成方法，衬底，衬底包括基底和器件层，器件层内具有第N层铜金属连线层；位于第N层铜金属连线层上的第一绝缘层和第一顶电极；位于器件层上具有第一高度尺寸且覆盖第一绝缘层和第一顶电极的第N+1层介质结构；位于第N+1层介质结构上的第二底电极、第二绝缘层以及第二顶电极，第二底电极位于第N层铜金属连线层表面；位于第N+1层介质结构上具有第二高度尺寸且覆盖第二底电极、第二绝缘层以及第二顶电极的第N+2层介质结构，第二高度尺寸大于第一高度尺寸。根据第N+1层介质结构和第N+2层介质结构的高度尺寸，灵活的设计电容结构的层数，即能够满足电容结构集成度的提升，同时也能够兼顾到电容结构的电接触性。

本发明授权镶嵌于铜互连中的电容器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种镶嵌于铜互连中的电容器结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的器件层，所述器件层内具有第N层铜金属连线层，且所述器件层暴露出所述第N层铜金属连线层的顶部表面，所述N为大于或等于1的整数； 位于所述第N层铜金属连线层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖部分所述第N层铜金属连线层的顶部表面、以及位于所述第一绝缘层上的第一顶电极； 位于所述第一顶电极上的第一金属插塞、以及位于所述第N层铜金属连线层上的第二金属插塞，所述第一金属插塞和所述第二金属插塞的顶部表面齐平； 位于所述第一金属插塞和所述第二金属插塞上的第N+1层铜金属连线层； 位于所述器件层上的第N+1层介质结构，所述第N+1层介质结构沿所述衬底法线方向上具有第一高度尺寸，所述第N+1层介质结构覆盖所述第一绝缘层、第一顶电极、第一金属插塞、第二金属插塞以及第N+1层铜金属连线层，且所述第N+1层介质结构暴露出所述第N+1层铜金属连线层的顶部表面； 位于所述第N+1层介质结构上的第二底电极、第二绝缘层以及第二顶电极，所述第二底电极位于所述第N+1层铜金属连线层上，所述第二绝缘层位于所述第二底电极上，所述第二顶电极位于所述第二绝缘层上； 位于所述第二顶电极上的第三金属插塞、以及位于所述第二底电极上的第四金属插塞，所述第三金属插塞和所述第四金属插塞的顶部表面齐平； 位于所述第三金属插塞和所述第四金属插塞上的第N+2层铜金属连线层； 位于所述第N+1层介质结构上的第N+2层介质结构，所述第N+2层介质结构沿所述衬底法线方向上具有第二高度尺寸，所述第二高度尺寸大于所述第一高度尺寸， 所述第N+2层介质结构覆盖所述第二底电极、第二绝缘层、第二顶电极、第三金属插塞、第四金属插塞以及第N+2层铜金属连线层，且所述第N+2层介质结构暴露出所述第N+2层铜金属连线层的顶部表面。

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