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龙图腾网获悉北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;北京航空航天大学申请的专利半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115713953B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211209170.1，技术领域涉及：G11C11/4097；该发明授权半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法是由赵东艳;潘成;王于波;邵瑾;付振;陈燕宁;潘彪;张鹏;庞振江;王文赫设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：N个MTJ单元，任一MTJ单元包括至少两个MTJ；控制单元，用于对所述N个MTJ单元执行写入操作和读取操作；所述控制单元用于选通地控制所述写入操作的电流，将被运算比特序列写入至M个MTJ单元中的MTJ，M为运算比特序列的比特数；所述控制单元用于基于所述运算比特序列，选通地控制运算操作的电流，注入所述M个MTJ单元中的MTJ，以及用于控制流出所述M个MTJ单元的电流，注入或流出电流的控制持续时间为锁定值与单位时间的乘积值；所述控制单元用于基于所述M个MTJ单元的流出电流的读出值，确定运算结果。本发明可用于提供具有运算能力的磁存储器和芯片。

本发明授权半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括：N个MTJ单元以及控制单元，N为正整数； 任一MTJ单元包括至少两个MTJ，任一MTJ单元中全部MTJ共享同一个底电极，各个MTJ具有独立的顶电极； 所述控制单元用于对所述N个MTJ单元执行写入操作和读取操作； 所述控制单元用于选通地控制所述写入操作的电流，将被运算比特序列写入至M个MTJ单元中的MTJ，M为运算比特序列的比特数； 所述控制单元用于基于所述运算比特序列，选通地控制运算操作的电流，注入所述M个MTJ单元中的MTJ的顶电极，以及用于控制流出所述M个MTJ单元的底电极的电流，注入或流出电流的控制持续时间为注入或流出电流的MTJ对应的锁定值与指定的单位时间的乘积值，所述锁定值为2的指数； 所述控制单元用于基于所述M个MTJ单元的流出电流的读出值，确定运算结果。

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