慧荣科技股份有限公司简亦鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉慧荣科技股份有限公司申请的专利半导体封装元件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210008741.9，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权半导体封装元件的形成方法是由简亦鸿;王郡莹;陈德威;陈秀园;吴秉陵设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装元件的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体封装元件的形成方法，包括：提供基底；在基底的第一侧上形成倒装芯片；在基底的第一侧上形成模制化合物，其中模制化合物覆盖倒装芯片；在模制化合物上形成散热片；在基底的第二侧上形成胶层，其中第二侧为第一侧在垂直方向上的相对侧；在形成胶层之后，对散热片进行预切制程和蚀刻制程；以及移除胶层。
本发明授权半导体封装元件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装元件的形成方法，包括： 提供一基底； 形成一倒装芯片flipchipdie于该基底的一第一侧上； 形成一模制化合物moldingcompound于该基底的该第一侧上，其中该模制化合物覆盖该倒装芯片； 形成一散热片heatsink于该模制化合物上； 形成一胶层于该基底的一第二侧上，其中该第二侧为该第一侧在垂直方向上的相对侧； 在形成该胶层之后，对该散热片进行一预切pre-cut制程和一蚀刻制程； 移除该胶层；以及 在移除该胶层之后，在该基底的该第二侧上形成多个焊接球。
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