国科大杭州高等研究院;浙江大学杨陈楹获国家专利权
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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院;浙江大学申请的专利一种宽谱编码阵列滤光片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115755257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211407663.6，技术领域涉及：G02B5/20；该发明授权一种宽谱编码阵列滤光片及其制备方法是由杨陈楹;温俊仁;沈伟东;邵宇川;刘雨洁;王海兰;章岳光;张强;郝凌云;高程;朱泽宇设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽谱编码阵列滤光片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽谱编码阵列滤光片的制备方法，包括：采用纳米压印方法一次性获得在第一维度高度不同的压印阵列结构；在得到的压印阵列结构上采用紫外光刻‑图形转移方法获得在第二维度高度不同的光刻阵列结构，最终获得高度不同的宽谱编码阵列滤光片。本发明还公开了由上述方法制备得到的宽谱编码阵列滤光片。该制备方法结合了纳米压印、紫外光刻、薄膜沉积等多种加工方法，所需紫外光刻‑图形转移次数有望大幅减少，且不随滤光区块数增多而增大。相近制备方法可推广应用于微型成像光谱芯片模组、微型成像光谱仪等产品，有望在便携式工业检测、便携式农业检测、消费电子等领域广泛应用。
本发明授权一种宽谱编码阵列滤光片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽谱编码阵列滤光片的制备方法，其特征在于，包括：采用纳米压印方法一次性获得在第一维度高度不同的压印阵列结构；在得到的压印阵列结构上采用紫外光刻-图形转移方法获得在第二维度高度不同的光刻阵列结构，最终获得由多个高度不同的滤光区块组成的宽谱编码阵列滤光片，所述滤光区块沿两个维度阵列布置； 具体讲，利用薄膜沉积方法在基板上沉积底层单层或多层薄膜；采用纳米压印方法在底层单层或多层薄膜表面一次性获得在第一维度高度不同的压印阵列结构；在得到的压印阵列结构上采用紫外光刻-图形转移方法获得在第二维度高度不同的光刻阵列结构；最后利用薄膜沉积方法在光刻阵列结构上沉积顶层单层或多层薄膜，得到所述宽谱编码阵列滤光片； 第一维度上相邻两个区块的高度差为10~40纳米，第二维度上相邻两个区块的高度差100~500纳米； 所述第一维度和第二维度为方向垂直的两个维度。
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