安徽瑞迪微电子有限公司朱辉获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽瑞迪微电子有限公司申请的专利微沟槽栅IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211405877.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权微沟槽栅IGBT器件及其制造方法是由朱辉;肖秀光设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本微沟槽栅IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微沟槽栅IGBT器件，包括发射极PAD区和栅极PAD区，所述发射极PAD区上设置正常管芯区和短路抑制区，短路抑制区为间隔设置，每相邻两个短路抑制区之间设置正常管芯区。本发明的微沟槽栅IGBT器件，短路电流抑制区域的引入能够有效降低器件的短路电流，从而保证器件内部contact过流能力足够，短路电流值较合理。通过控制短路电流抑制区域对短路电流的抑制能力，调节短路电流抑制区域与正常管芯区域的尺寸比例，将器件短路电流控制到合适的电流值，使得器件有合适的短路耐受能力。本发明还公开了一种微沟槽栅IGBT器件的制造方法。
本发明授权微沟槽栅IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.微沟槽栅IGBT器件，包括发射极PAD区和栅极PAD区，其特征在于，所述发射极PAD区上设置多个正常管芯区和多个短路抑制区，短路抑制区呈现方形排列，短路抑制区为间隔设置； 所有短路抑制区为沿呈发射极PAD区的长度方向呈多排进行布置，处于同一排的所有短路抑制区为沿呈发射极PAD区的宽度方向依次布置；在同一排的所有短路抑制区中，每相邻两个短路抑制区之间设置一个正常管芯区； 相邻两排的短路抑制区为错开布置，该错开布置是指，对于相邻的两排短路抑制区，在与发射极PAD区的长度方向相垂直的投影面上，位于其中一排的各个短路抑制区在投影面上的位置分别与位于另一排的一个短路抑制区在投影面上的位置相邻。
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