晶元光电股份有限公司戴俊杰获国家专利权
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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763656B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211280604.7，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权半导体元件是由戴俊杰;胡子杰设计研发完成，并于2018-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件，其包含：一第一半导体层；位于第一半导体层上的一第二半导体层，其包含具有第一导电类型的一第一掺杂物和具有第二导电类型的一第二掺杂物，其中第一掺杂物具有一掺杂浓度，且第一导电类型与第二导电类型不同；位于第二半导体层上的一第三半导体层，其中第三半导体层包含一第三掺杂物，第三掺杂物包含一掺杂浓度，第三掺杂物的掺杂浓度高于第一掺杂物的掺杂浓度；以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的一活性区；其中第二半导体层包含面向活性区的一底表面，活性区包含面对第二半导体层的一顶表面，且第二半导体层的底表面与活性区的顶表面之间的距离不小于2nm。
本发明授权半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含： 第一半导体层； 第二半导体层，位于该第一半导体层上，其中该第二半导体层包含具有第一导电类型的第一掺杂物和具有第二导电类型的第二掺杂物，其中该第一掺杂物具有掺杂浓度，且该第一导电类型与该第二导电类型不同； 活性区，位于该第一半导体层和该第二半导体层之间，其中该活性区包含阱层和阻障层，该阻障层具有第三掺杂物，该第三掺杂物具有掺杂浓度； 限制层，位于该活性区和该第二半导体层之间，其中该限制层包含第四掺杂物，该第四掺杂物具有第三导电类型的掺杂浓度，该第四掺杂物的该第三导电类型不同于该第一导电类型；以及 第一含铝层，位于该限制层以及该第二半导体层之间，其中该第一含铝层具有一能阶，该限制层具有一能阶，该第一含铝层的该能阶高于该限制层的该能阶； 其中该阻障层的该第三掺杂物的该掺杂浓度不小于该限制层的该第四掺杂物的该掺杂浓度。
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