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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115811926B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211060325.X，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权存储装置是由五十岚太一;伊藤雄一;北川英二;矶田大河设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供能够使存储装置的特性提高的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1布线，其在与基板的第1面垂直的第1方向上设置在所述基板的上方；第2布线，其设置在所述基板与所述第1布线之间；以及存储单元，其设置在所述第1布线与所述第2布线之间，包括在所述第1方向上排列的开关元件和磁阻效应元件。所述磁阻效应元件包括：第1电极；第2电极，其在所述第1方向上设置在所述第1电极的上方；非磁性层，其设置在所述第1电极与所述第2电极之间；第1磁性层，其设置在所述第1电极与所述非磁性层之间；第2磁性层，其设置在所述第2电极与所述非磁性层之间；以及第1层，其设置在所述第2电极与所述第2磁性层之间。所述第1层包含选自镁、过渡金属以及镧系元素中的至少一种和氧。所述第1层的所述第1方向上的第1尺寸为所述非磁性层的所述第1方向上的第2尺寸的1.1倍以上且2倍以下。

本发明授权存储装置在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，具备： 第1布线，其在与基板的第1面垂直的第1方向上设置在所述基板的上方； 第2布线，其设置在所述基板与所述第1布线之间；以及 存储单元，其设置在所述第1布线与所述第2布线之间，包括在所述第1方向上排列的开关元件和磁阻效应元件， 所述磁阻效应元件包括： 第1电极； 第2电极，其在所述第1方向上设置在所述第1电极的上方； 非磁性层，其设置在所述第1电极与所述第2电极之间； 第1磁性层，其设置在所述第1电极与所述非磁性层之间； 第2磁性层，其设置在所述第2电极与所述非磁性层之间；以及 第1层，其设置在所述第2电极与所述第2磁性层之间， 所述第1层包含选自镁、过渡金属以及镧系元素中的至少一种和氧， 所述第1层的所述第1方向上的第1尺寸为所述非磁性层的所述第1方向上的第2尺寸的1.1倍以上且2倍以下， 所述第1层的电阻为所述非磁性层的电阻的2倍以上且100倍以下。

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