台湾积体电路制造股份有限公司林钲峻获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器器件及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831195B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210927469.4，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权存储器器件及其操作方法是由林钲峻;苏晋毅;邹宗成;李嘉富设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件及其操作方法在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供了一种存储器器件及其操作方法，存储器器件包括静态随机存取存储器，静态随机存取存储器包括两个交叉耦合的反相器和具有连接到字线的栅极的存取晶体管。存储器器件进一步包括电耦合到静态随机存取存储器的一个或多个逻辑门，以及电耦合到静态随机存取存储器并被配置为储存数据并使用静态随机存取存储器被读取的非易失性存储器。其中非易失性存储器在一侧连接到存取晶体管并且在另一侧连接到两个交叉耦合的反相器。
本发明授权存储器器件及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 静态随机存取存储器，包括两个交叉耦合的反相器、以及具有连接到字线的栅极并控制对两个所述反相器存取的两个存取晶体管； 一个或多个逻辑门，电耦合到所述静态随机存取存储器；以及 非易失性存储器，电耦合到所述静态随机存取存储器，并且被配置为储存数据并使用静态随机存取存储器来读取，其中，所述非易失性存储器在一侧连接到所述存取晶体管并且在另一侧连接到所述两个交叉耦合的反相器； 其中，将位线或反位线中的一个放电到低电压并将所述位线或所述反位线中的另一个充电到高电压并且导通所述两个存取晶体管，以初始化从所述非易失性存储器调用数据的调用操作，并且 将所述位线或所述反位线中的一个充电到所述高电压并且导通所述两个存取晶体管中的一个，以确定所述非易失性存储器的状态。
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