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龙图腾网获悉江苏开放大学(江苏城市职业学院)申请的专利原位动态表征SnO2纳米晶体生长过程的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211456459.3，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权原位动态表征SnO2纳米晶体生长过程的方法是由魏薇;勾荣;舒畅设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本原位动态表征SnO2纳米晶体生长过程的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原位动态表征SnO2纳米晶体生长过程的方法，包括步骤如下：利用透射电镜收集样品的原位数据；改变样品的外界液相环境，并记录不同影响因素下样品的原位数据；根据原位数据划分SnO2纳米晶体的生长阶段；测量和计算SnO2生长过程中的尺寸、面积和反应速率数据；对尺寸与时间的关系进行拟合，获得SnO2纳米晶体所属的LSW生长动力学模型；计算SnO2生长过程中暴露的高能面的表面能，得到表面能与纳米晶体择优生长的晶向的关系；测量和计算SnO2纳米晶体间的旋转速度和平移速度，并分析起主导作用的驱动力。本发明通过构建生长动力学模型，阐明生长机理，为SnO2微观结构的高效调控提供了可靠的理论基础。

本发明授权原位动态表征SnO2纳米晶体生长过程的方法在权利要求书中公布了：1.原位动态表征SnO2纳米晶体生长过程的方法，其特征在于，包括步骤如下： 步骤1.利用透射电镜收集样品的原位数据；所述样品为双层超薄碳膜包覆反应溶液形成的液体腔； 步骤2.改变样品的外界液相环境，并记录不同影响因素下样品的原位数据；所述原位数据包括：1SnO2纳米晶体成核生长起始时间和晶面结构状态，2SnO2纳米晶体与反应溶液接触的固-液界面现象，3生长过程中SnO2纳米晶体结构及形貌的变化，SnO2纳米晶体择优生长的晶向； 步骤3.根据原位数据划分SnO2纳米晶体的生长阶段； 步骤4.测量和计算SnO2生长过程中的尺寸、面积和反应速率数据； 步骤5.对尺寸与时间的关系进行拟合，获得SnO2纳米晶体所属的LSW生长动力学模型； 步骤6.计算SnO2生长过程中暴露的高能面的表面能，得到表面能与纳米晶体择优生长的晶向的关系； 步骤7.测量和计算SnO2纳米晶体间的旋转速度和平移速度，获得纳米晶体的运动状态，并据此分析驱动力的主导作用；所述驱动力包括：静电力、范德华力、水合作用力和磁力。

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