应用材料公司A·加西亚德戈罗多获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利使用稀有气体的低温原子层蚀刻获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115836381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180042877.5，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权使用稀有气体的低温原子层蚀刻是由A·加西亚德戈罗多;姚忠华;S·斯里尼瓦杉;朴相昱设计研发完成，并于2021-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用稀有气体的低温原子层蚀刻在说明书摘要公布了：提供了一种在低温温度下蚀刻硅的方法。所述方法包括：在诸如特征的多个侧壁之类的暴露表面上，在低温温度下由稀有气体的冷凝形成惰性层，以在蚀刻工艺之前钝化侧壁。所述方法进一步包括：使含氟前驱物气体流入腔室，以在惰性层上形成含氟层。所述方法进一步包括：将含氟层和惰性层暴露于能量源，以在基板的多个暴露部分上形成钝化层，并且将基板暴露于离子以蚀刻基板。
本发明授权使用稀有气体的低温原子层蚀刻在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻在基板中的特征的方法，包括： 将定位在腔室中的基板冷却至低于第一稀有气体的三相点温度的温度； 使所述第一稀有气体流入所述腔室，以在所述基板的多个暴露部分上形成惰性层； 使含氟前驱物气体流入所述腔室，以在所述惰性层上形成含氟层； 将所述含氟层和所述惰性层暴露于能量源，以在所述基板的所述多个暴露部分上形成钝化层；以及 将所述基板暴露于离子以蚀刻所述基板。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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