哈廷电子基金会两合公司T·迈豪斯获国家专利权
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龙图腾网获悉哈廷电子基金会两合公司申请的专利能无毛刺地制造的接触元件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115836445B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180049333.1,技术领域涉及:H01R4/58;该发明授权能无毛刺地制造的接触元件是由T·迈豪斯设计研发完成,并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本能无毛刺地制造的接触元件在说明书摘要公布了:本发明涉及一种电接触元件1,其中所述接触元件1的铅含量小于或等于按重量计0.1%,该接触元件1具有至少一个第一区域KB和与其相邻的至少一个第二区域AB,其中,在所述第一区域KB和所述第二区域AB之间设置有至少局部环绕的凹槽2。因此能无毛刺地制造出接触元件。
本发明授权能无毛刺地制造的接触元件在权利要求书中公布了:1.一种电接触元件1,其中所述接触元件1具有至少一个第一区域KB和与其相邻的至少一个第二区域AB, 其中所述接触元件1的所述第一区域KB包括插入区域并用来与配合接触元件进行电接触,并且所述接触元件1的所述第二区域AB包括连接区域并用来与电导体或汇流排进行电接触,其中在所述第一区域KB和所述第二区域AB相邻的边界区域中,所述第一区域KB构成为圆柱形,并且所述第二区域AB构成为立方形,其具有两个相对的平坦侧表面3a和两个相对的弯曲或弧形侧表面3b,其中,在所述第一区域KB和所述第二区域AB之间设置有环绕的凹槽2,其中在所述第二区域AB具有其平坦侧表面3a的情况下,所述凹槽2仅在单侧延伸,其中单侧意味着在所述第一区域KB上存在着斜面4。
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