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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111155645.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体结构及其形成方法是由于海龙;苏博;吴汉洙设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其方法包括：所述初始复合层包括若干层重叠的沟道层、位于相邻两层沟道层之间的牺牲层、位于所述牺牲层侧壁且位于相邻两层沟道层之间的凹槽，以及所述凹槽内的内侧墙，所述内侧墙侧壁相对于所述沟道层侧壁凹陷；采用选择性外延生长工艺在所述第一开口和所述凹槽暴露出的所述沟道层表面形成若干源漏层，所述若干源漏层平行于所述第一方向，且沿第二方向分布，所述第二方向平行于衬底法线方向，相邻源漏层之间具有空隙；在所述源漏层表面和所述空隙内形成接触层；在所述源漏层上的接触层表面形成导电结构，减小了源漏层表面的接触电阻，提高器件的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括: 衬底； 位于部分所述衬底上的若干复合层，所述复合层沿第一方向延伸，所述复合层内具有第一开口，所述第一开口暴露出所述衬底表面，所述复合层包括若干层沿衬底表面法线方向重叠的沟道层和位于相邻两层沟道层之间的第二开口，所述第二开口使相邻两层沟道层之间悬空，相邻两层沟道层之间还具有凹槽，所述凹槽位于所述第二开口侧壁； 栅极结构，位于所述沟道层表面和所述第二开口内，所述栅极结构包围所述沟道层，且沿第二方向延伸，所述第一方向与沿第二方向相互垂直； 介质墙，位于所述栅极结构侧壁，且所述介质墙顶部表面与所述栅极结构顶部表面齐平，所述介质墙的外侧面与所述沟道层侧壁表面齐平； 所述复合层还包括内侧墙，所述内侧墙位于所述凹槽内，且位于所述第二开口侧壁，所述内侧墙侧壁相对于所述沟道层侧壁凹陷； 位于所述第一开口和所述凹槽暴露出的所述沟道层表面的若干源漏层，所述若干源漏层平行于所述第一方向，且沿第二方向分布，所述第二方向平行于衬底表面法线方向，所述第一方向上相邻两层沟道层表面的源漏层合并在一起，所述第二方向上相邻两层沟道层表面的源漏层之间具有空隙； 位于所述源漏层表面和所述空隙内的接触层； 位于所述源漏层上的导电结构。

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