武汉英飞光创科技有限公司唐永正获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉英飞光创科技有限公司申请的专利一种光模块的激光器共晶方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115889914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211300569.0，技术领域涉及：B23K1/00；该发明授权一种光模块的激光器共晶方法是由唐永正;朱德锋;李波;谢顶波设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光模块的激光器共晶方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光模块的激光器共晶方法，包括如下过程：首先吸嘴抓取激光器芯片至基板上，吸嘴维持接触激光器芯片至共晶焊料升温达到温度T后1～2秒，其中T不小于共晶焊料熔点温度；之后撤销吸嘴对激光器芯片的压力，并持续在温度T下加热共晶焊料使共晶焊料完全熔化成液态并维持2～10秒。该发明在共晶焊料达到熔化温度后，吸嘴短暂接触激光器芯片后离开，低温吸嘴对激光器芯片产生的降温作用消除，保证了激光器芯片底部焊料顺利熔化，从而顺利完成共晶焊接；同时由于吸嘴离开了激光器芯片，作用在激光器芯片上表面的压力已去掉，当共晶焊料熔化时，溢出的共晶焊料会重新回流到激光器芯片底部，从而确保了激光器底部有足够的焊料完成焊接。
本发明授权一种光模块的激光器共晶方法在权利要求书中公布了：1.一种光模块的激光器共晶方法，其特征在于，具体包括如下步骤： 1预热加热台； 2采用自动贴片共晶机的吸嘴抓取预置了共晶焊料的基板到预热的加热台上； 3采用自动贴片共晶机的吸嘴抓取激光器芯片至基板上相应位置，并保持吸嘴接触激光器芯片上表面固定激光器芯片的位置不动； 4将加热台加热至温度T并维持1～2秒，此时保持吸嘴与激光器芯片接触，其中T不小于共晶焊料熔点温度； 5加热台继续维持温度T，关闭吸嘴真空，同时使吸嘴离开激光器芯片上表面，直至共晶焊料完全熔化成液态并维持2～10秒； 6将加热台降温，固定激光器芯片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉英飞光创科技有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳大道52号凤凰产业园(武汉.中国光谷文化创意产业园)E地块5幢1层(1)厂房(2)厂房2层(1)厂房(2)厂房3层(1)厂房4层(1)厂房(2)厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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