中国电子科技集团公司第五十五研究所牛斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种AlGaAs二阶非线性与线性光波导集成单片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115903127B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211448050.7，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种AlGaAs二阶非线性与线性光波导集成单片及其制作方法是由牛斌;经旭设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种AlGaAs二阶非线性与线性光波导集成单片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AlGaAs二阶非线性与线性光波导集成单片及其制作方法，该方法为：在衬底上依次生长AlGaAs外延层：布拉格下反射层、芯层和布拉格上反射层；布拉格上反射层和布拉格下反射层均包含多个周期，每个周期由组分Al含量不同的两层AlxGa1‑xAs组成；在外延层表面制作光刻掩膜，再刻蚀布拉格上反射层，形成包含二阶非线性波导区域和二阶线性波导区域的脊形波导结构；在二阶非线性波导区域制作光刻掩膜，再刻蚀二阶线性波导区域的布拉格下反射层，完成制作。本发明可实现AlGaAs光学非线性波导与线性波导无缝单片集成，为非线性光学以及集成量子光学领域提供简单且高集成度的芯片制作方法。
本发明授权一种AlGaAs二阶非线性与线性光波导集成单片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种AlGaAs二阶非线性与线性光波导集成单片制作方法，其特征在于，包括步骤如下： S1.在衬底上依次生长AlGaAs外延层：布拉格下反射层、芯层和布拉格上反射层；所述布拉格上反射层和布拉格下反射层均包含多个周期，每个周期由组分Al含量不同的BRW-a和BRW-b两层AlxGa1-xAs材料组成； S2.在AlGaAs外延层表面制作光刻掩膜保护其中部的矩形区域，再刻蚀布拉格上反射层，形成包含二阶非线性波导区域和二阶线性波导区域的脊形波导结构； S3.在二阶非线性波导区域制作光刻掩膜，再刻蚀二阶线性波导区域的布拉格下反射层，完成制作； 其中，所述步骤S2和S3中采用ICP干法刻蚀；所述布拉格上反射层和布拉格下反射层分别包含5~10个周期。
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