中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司宋春获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种光刻掩膜及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115903364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110943711.2，技术领域涉及：G03F1/00；该发明授权一种光刻掩膜及其形成方法是由宋春设计研发完成，并于2021-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻掩膜及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种光刻掩膜及其形成方法，所述光刻掩膜包括：透明基板，所述透明基板包括外圈切割道区，所述外圈切割道区包括遮光区和透光区，所述透光区关于所述透明基板的水平中轴线或垂直中轴线对称；第一遮光层，所述第一遮光层位于所述遮光区的透明基板表面；第二遮光层，所述第二遮光层位于所述透光区的部分透明基板表面。本申请提供一种光刻掩膜及其形成方法，在外围切割道区的透光区形成互补的第二遮光层，即使两次曝光也不会过量曝光，可以避免靠近外围切割道区域的芯片被刻蚀，避免对芯片造成损伤。
本发明授权一种光刻掩膜及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻掩膜，其特征在于，包括： 透明基板，所述透明基板包括外圈切割道区，所述外圈切割道区包括遮光区和透光区，所述透光区关于所述透明基板的水平中轴线或垂直中轴线对称； 第一遮光层，所述第一遮光层位于所述遮光区的透明基板表面； 第二遮光层，所述第二遮光层位于所述透光区的部分透明基板表面，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层图案在所述透光区中互补，和或位于相互对称位置的透光区的第二遮光层关于所述透明基板中心对称。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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