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龙图腾网获悉北京声迅电子股份有限公司申请的专利一种离子迁移装置、痕量爆炸物检测设备以及X光安检机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910746B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211739255.0，技术领域涉及：H01J49/42；该发明授权一种离子迁移装置、痕量爆炸物检测设备以及X光安检机是由郭俐栅;刘慧娟;王云灵;姬光;刘金雷设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子迁移装置、痕量爆炸物检测设备以及X光安检机在说明书摘要公布了：本发明涉及离子迁移技术领域，公开了一种离子迁移装置、痕量爆炸物检测设备以及X光安检机，用以解决现有技术中的迁移管存在对进入其迁移区通道的离子向中心区域聚焦性较差的问题。其中，离子迁移装置包括底座、内电极、外电极；内电极嵌设于底座，且内电极从底座中露出的部分为半球形结构；外电极设于底座的外周，且外电极具有用于容纳内电极的半球形结构的腔室，腔室的内壁与内电极之间的间隙形成呈半球冠状的离子迁移通道；外电极设置有进气口和出气口，进气口与离子迁移通道之间设置有进气通道，出气口与离子迁移通道之间设置有出气通道。

本发明授权一种离子迁移装置、痕量爆炸物检测设备以及X光安检机在权利要求书中公布了：1.一种离子迁移装置，其特征在于，包括底座、内电极、外电极； 所述内电极嵌设于所述底座，且所述内电极从所述底座中露出的部分为半球形结构； 所述外电极设于所述底座的外周，且所述外电极具有用于容纳所述内电极的半球形结构的腔室，所述腔室的内壁与所述半球形结构的外壁之间的间隙形成呈半球冠状的离子迁移通道； 所述外电极设置有进气口和出气口，所述进气口与所述离子迁移通道之间设置有进气通道，所述出气口与所述离子迁移通道之间设置有出气通道； 所述外电极包括第一外电极和第二外电极，所述第一外电极设于所述底座的顶部，且所述第一外电极具有所述腔室； 所述第二外电极与所述第一外电极连接并沿周向环绕所述底座设置； 所述第一外电极朝向所述第二外电极的表面设置有第一凹槽，所述第二外电极朝向所述第一外电极的表面设置有第二凹槽，且所述底座表面设置有连接所述第二凹槽并向所述内电极延伸的第三凹槽，所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽在所述内电极的两侧形成所述进气通道和所述出气通道； 所述底座设置有连接孔，所述内电极包括第一电极部和第二电极部，所述第一电极部至少部分从所述底座表面露出以形成所述半球形结构，所述第二电极部与所述第一电极部连接，且所述第二电极部为穿设于所述连接孔处的柱体； 所述第二外电极设置有台阶孔，所述台阶孔包括沿远离所述第一外电极的方向依次设置的第一孔段和第二孔段，且所述第一孔段的孔径大于所述第二孔段的孔径，所述底座至少部分位于所述台阶孔内，并止挡在所述第一孔段和所述第二孔段的连接位置的台阶面处；所述底座和所述台阶面固定连接； 所述内电极的连接端从所述底座中穿出； 所述台阶孔为通孔，所述台阶孔贯穿所述第二外电极的顶面和底面； 所述第二外电极和所述第一外电极电性连接。

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