北京北方华创微电子装备有限公司朱海云获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种半导体结构的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310012872.9，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权一种半导体结构的刻蚀方法是由朱海云;徐力田;蒋中伟设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的刻蚀方法，包括：提供待刻蚀材料层，待刻蚀材料层上形成有若干分立的核心层；在核心层之间露出的待刻蚀材料层上以及核心层顶部和侧壁上形成掩膜层；在掩膜层上形成保护层；对所述保护层和部分所述掩膜层进行各向异性刻蚀，直至完全去除所述保护层并暴露出核心层的顶部以及相邻核心层间隔区域之间的部分待刻蚀材料层；去除核心层；以剩余的掩膜层作为掩膜对待刻蚀材料层进行刻蚀，在待刻蚀材料层中形成目标图形。本发明能够改善目标图形的CD奇偶loading问题和depthloading问题。
本发明授权一种半导体结构的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层上形成有若干分立的核心层； 在所述核心层之间露出的待刻蚀材料层上以及所述核心层顶部和侧壁上形成掩膜层，相邻两个分立的核心层侧壁处的竖直掩膜层之间的横向尺寸等于所述核心层的宽度尺寸； 在所述掩膜层上形成保护层，所述核心层侧壁上的所述掩膜层和所述保护层形成侧墙，相邻所述侧墙外壁之间的横向间距尺寸小于所述核心层的宽度尺寸； 对所述保护层和部分所述掩膜层进行各向异性刻蚀，直至完全去除所述保护层并暴露出所述核心层的顶部以及相邻所述核心层之间的部分所述待刻蚀材料层； 去除所述核心层； 以剩余的所述掩膜层作为掩膜对所述待刻蚀材料层进行刻蚀，在所述待刻蚀材料层中形成目标图形。
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