华中科技大学梁琳获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211501472.6，技术领域涉及：H10D10/00；该发明授权一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管是由梁琳;温凯俊设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管，包括由下至上设置的集电区电极、集电极区n+衬底层、集电极区n0外延层、p+基区层及n+发射区层，p+基区层旁设有环状深阱结构，深阱结构采用SiO2‑Si3N4；还包括基区电极和发射区电极，集电极区n0外延层的表面覆盖一层氧化层，氧化层上覆盖有金属场板，金属场板与基区电极接触，金属场板的底部穿过氧化层与p+基区层接触，n+发射区层表面覆盖一层掺氧半绝缘多晶硅层，发射区电极的底部穿过掺氧半绝缘多晶硅层与n+发射区层接触。本发明能有效提高雪崩晶体管在基射极短接，电压脉冲触发时的动态开通速度，优化基于雪崩晶体管的脉冲发生器的电压输出上升沿特性。
本发明授权一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管在权利要求书中公布了：1.一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管，其特征在于，包括由下至上依次设置的集电区电极、集电极区n+衬底层、集电极区n0外延层、p+基区层及n+发射区层，其中，所述p+基区层旁设有环状深阱结构，深阱结构的内圈靠近p+基区层的曲边界设置，深阱结构的底部为所述集电极区n0外延层和集电极区n+衬底层的交界处，且深阱结构采用的填充物为钝化材料SiO2-Si3N4；所述n+发射区层上覆盖一层掺氧半绝缘多晶硅层，且所述掺氧半绝缘多晶硅层的掺氧量在25%~30%； 所述超快速雪崩晶体管还包括圆形状的基区电极和发射区电极，所述集电极区n0外延层的表面覆盖一层氧化层，氧化层上覆盖有金属场板，所述金属场板分别与所述基区电极和掺氧半绝缘多晶硅层相接触，所述金属场板的底部穿过氧化层与p+基区层接触，所述发射区电极的底部穿过所述掺氧半绝缘多晶硅层与n+发射区层接触。
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