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龙图腾网获悉中国空间技术研究院申请的专利一种功率VDMOS器件总剂量和单粒子栅击穿协和效应仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115935766B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211378601.7，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种功率VDMOS器件总剂量和单粒子栅击穿协和效应仿真方法是由郑雪松;莫日根;刘婧宇;吉俐;张竞择设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率VDMOS器件总剂量和单粒子栅击穿协和效应仿真方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率VDMOS器件总剂量和单粒子栅击穿协和效应仿真方法，基于TCAD仿真平台建立功率VDMOS器件总剂量效应和单粒子栅击穿协和效应仿真模型，在同一款功率器件上综合对总剂量效应和单粒子效应的模拟仿真，利用仿真模型分析器件在空间应用中多种辐射效应对其的影响；本发明通过对功率VDMOS器件建立电学模型、辐射总剂量模型、单粒子模型，仿真不同辐照剂量对器件的总剂量效应，并在功率VDMOS器件发生协和作用的瞬态过程中，跟踪重要电学物理参量的演变过程，做出比较分析，有效地对功率器件在综合辐射场下敏感性评估及防护设计提供理论支撑。该方法具有便捷、经济、高效的特点，为功率VDMOS器件在空间应用时的防护设计提供技术支持。

本发明授权一种功率VDMOS器件总剂量和单粒子栅击穿协和效应仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种功率VDMOS器件总剂量和单粒子栅击穿协和效应仿真方法，其特征在于，包括： 根据待仿真功率器件的设计和工艺参数，利用半导体器件二维建模工具对待仿真器件进行二维建模，得到该待仿真器件的二维模型，之后对建立的二维模型进行网格划分，生成网格化的器件结构，网格结构与器件的结构匹配； 对得到的器件结构模型进行TCAD器件仿真，得出待仿真功率器件电学仿真结果；再将待仿真功率器件电学仿真结果对比器件产品手册中的相应电学参数或曲线，优化校准器件的工艺参数，最终使待仿真功率器件电学仿真结果和器件产品手册相符，从而获得待仿真功率器件电学仿真模型； 根据得到的待仿真功率器件电学仿真模型，在TCAD中施加氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷来代替总剂量效应； 设置不同的辐照剂量，分别仿真不同辐照剂量下的器件特性曲线，得到待仿真功率器件总剂量仿真模型； 根据得到的功率器件总剂量模型，固定重离子辐照条件、入射位置以及偏置条件不变，分别对待仿真功率器件进行不同总剂量情况下的单粒子效应仿真，得到器件总剂量和单粒子栅击穿协和效应仿真模型； 基于器件总剂量和单粒子栅击穿协和效应仿真模型，得到发生协和作用时栅氧化层中的最大电场随时间的变化曲线，以及得到不同剂量下器件发生单粒子栅击穿阈值电压，进而形成器件发生单粒子栅击穿阈值电压随剂量变化曲线，实现对功率器件总剂量效应和单粒子效应协和作用辐射敏感性的仿真。

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