电子科技大学唐鹤获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115967362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310063287.1,技术领域涉及:H03F1/56;该发明授权一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器是由唐鹤;张威设计研发完成,并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器在说明书摘要公布了:本发明属于模拟集成电路技术领域,具体涉及一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器。本发明电路包括输入信号跟随电路、交流信号耦合电路及运算跨导放大器主体电路。所述输入信号跟随电路通过添加局部负反馈,有效降低输出阻抗,保证输入信号在负载电流变化较大情况下的有效跟随。所述交流信号耦合电路采用互补的栅源短接MOS管结构,确保在内部结点摆幅较大的情况下仍具备高阻抗,从而实现良好的交流耦合特性,提升电流利用率及小信号性能。所述运算跨导放大器主体电路采用跟随电路使得输入管栅源之间的信号幅值扩大,并且在大信号情况下使得电流‑电压转换比提升至传统结构的4倍,不再受到固定尾电流的限制。
本发明授权一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器在权利要求书中公布了:1.一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器,其特征在于,包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七NMOS管M7、第八NMOS管M8、第九PMOS管M9、第十PMOS管M10、第十一PMOS管M11、第十二PMOS管M12、第十三PMOS管M13、第十四PMOS管M14、第十五NMOS管M15、第十六NMOS管M16、第十七NMOS管M17、第十八PMOS管M18、第十九PMOS管M19、第二十NMOS管M20、第二十一NMOS管M21、第二十二NMOS管M22、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第一电流源I1、第二电流源I2、第三电流源I3和第四电流源I4; 所述第一NMOS管M1的栅极连接第三NMOS管M3的栅极;所述第二NMOS管M2的栅极连接第四NMOS管M4的栅极;所述第五NMOS管M5的栅极连接第三NMOS管M3的漏极和第一电流源I1的负端;所述第六NMOS管M6的栅极连接第四NMOS管M4的漏极和第二电流源I2的负端;所述第七NMOS管M7的栅极连接第五NMOS管M5的源极和第三电流源I3的正端;所述第八NMOS管M8的栅极连接第六NMOS管M6的源极和第四电流源I4的正端;所述第九PMOS管M9的栅极连接第二NMOS管M2的漏极、第十PMOS管M10的漏极、第十二PMOS管M12的漏极、第十四PMOS管M14的栅极、第二电容C2的一端和第二电阻R2的一端;所述第十PMOS管M10的栅极连接第一NMOS管M1的漏极、第九PMOS管M9的漏极、第十一PMOS管M11的漏极、第十三PMOS管M13的栅极、第一电容C1一端和第一电阻R1的一端;所述第十一PMOS管M11的栅极连接第十二PMOS管M12的栅极、第一电阻R1的另一端和第二电阻R2的另一端;所述第十五NMOS管M15的栅极连接第一电容C1的另一端、第十七NMOS管M17的源极和第十七NMOS管M17的栅极;所述第十六NMOS管M16的栅极连接第二电容C2的另一端、第十八PMOS管M18的源极和第十八PMOS管M18的栅极;所述第十九PMOS管M19的栅极连接第十九PMOS管M19的源极、第二十NMOS管M20的栅极和第二十NMOS管M20的源极;所述第二十一NMOS管M21的栅极连接偏置电压Vcmfb,所述第二十二NMOS管M22的栅极连接偏置电压Vcmfb; 所述第一NMOS管M1的源极连接第二NMOS管M2的源极、第三NMOS管M3的源极、第四NMOS管M4的源极、第七NMOS管M7的漏极和第八NMOS管M8的漏极;所述第七NMOS管M7、第八NMOS管M8、第十五NMOS管M15、第十六NMOS管M16、第二十一NMOS管M21和第二十二NMOS管M22的源极均连接到地;所述第九PMOS管M9、第十PMOS管M10、第十一PMOS管M11、第十二PMOS管M12、第十三PMOS管M13和第十四PMOS管M14的源极均连接到电源; 所述第五NMOS管M5的漏极和第六NMOS管M6的漏极均连接到电源;所述第十三PMOS管M13的漏极连接到第十五NMOS管M15的漏极和第二十一NMOS管M21的漏极;所述第十四PMOS管M14的漏极连接到第十六NMOS管M16的漏极和第二十二NMOS管M22的漏极;所述第十七NMOS管M17的漏极连接到第十九PMOS管M19的漏极;所述第十八PMOS管M18的漏极连接到第二十NMOS管M20的漏极。
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