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龙图腾网获悉山东天岳先进科技股份有限公司申请的专利激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115971980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211724363.0，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺是由梁庆瑞;刘家朋;王含冠;王瑞;马立兴;宋生;宁秀秀;李霞;宋建;宗艳民;窦文涛设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺，所述串联抛光工艺包括以下步骤：将激光剥离碳化硅减薄片依次进行i次抛光得到所需的抛光片；第i次抛光处理所得晶片的粗糙度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光垫的硬度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光液的pH比第i+1次小；其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2。所述碳化硅减薄片顺次通过激光致裂剥离、减薄而得到。解决抛光片表面粗糙度高且均匀性差、划痕残留、加工效率低等问题。

本发明授权激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺在权利要求书中公布了：1.一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺，其特征在于，所述串联抛光工艺包括以下步骤： 将激光剥离碳化硅减薄片依次进行i次抛光得到所需的抛光片；第i次抛光处理所得晶片的粗糙度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光垫的硬度大于第i+1次抛光处理所需抛光垫的硬度，第i次抛光处理所需抛光液的pH小于第i+1次抛光处理所需抛光液的pH；其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2； 所述碳化硅减薄片顺次通过激光致裂剥离、减薄而得到； 所述激光致裂剥离得到的剥离片的损伤层深度不高于110μm，所述剥离片的表面裂纹台阶高度不高于70μm； 所述减薄得到的减薄片表面粗糙度不高于10nm； 所述第i次抛光处理所需抛光液的颗粒大小大于第i+1次抛光处理所需抛光液的颗粒大小； 所述i为3；将激光剥离碳化硅减薄片依次进行3次抛光处理得到所需的抛光片；其中，第1次抛光为粗抛，得到第1抛光片；再进行第2次抛光，中抛过程得到第2抛光片；最后经第3次抛光精抛过程得到所需的抛光片； 所述粗抛抛光垫为聚氨酯，抛光液为酸性氧化铝抛光液；所述中抛抛光垫为无纺布，抛光液为中性氧化锰或中性氧化铝抛光液；所述精抛抛光垫为阻尼布，抛光液为碱性氧化硅抛光液。

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