厦门大学张保平获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986033B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211714656.0，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管是由张保平;欧伟;梅洋;龙浩;应磊莹设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管。所述器件，从下到上依次为金属衬底、下反射镜、平行平面谐振腔、上电极、上反射镜；所述平行平面谐振腔的外延层包括n型层、p型层以及有源区；其中n型层、p型层以及有源区均由双折射半导体材料制成，该有源区为双折射量子阱结构。本发明具有结构简单、集成度高，光谱线宽窄，光谱模式可调等特点，在精密测量，显微组织成像，视觉成像，三维显示，光通信，量子通信等领域中有着广泛的应用前景。
本发明授权一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管，其特征在于，所述二极管，从下到上依次为金属衬底、下反射镜、平行平面谐振腔、上电极、上反射镜； 所述平行平面谐振腔的外延层包括n型层、p型层以及有源区；其中n型层、p型层以及有源区均由双折射半导体材料制成，该有源区为InxGa1-xNAlyGa1-yN双折射量子阱结构，其中，0≤x≤1,0≤y≤1；所述双折射半导体材料包括ZnO或GaN或CdS； 在平行平面谐振腔中，光场的模式分布服从 其中ν为相邻模式间频率差，c为光速，n为谐振腔内折射率，L为谐振腔物理长度。
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