致真存储(北京)科技有限公司郭宗夏获国家专利权
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龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种基于反铁磁的多态存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116018047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211708009.9，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种基于反铁磁的多态存储器单元是由郭宗夏;张洪超;刘宏喜;曹凯华;王戈飞设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于反铁磁的多态存储器单元在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于反铁磁的多态存储器单元，本发明涉及自旋电子器件技术领域，用于解决现有技术中无法实现单器件的多bit存储以及难以实现数据写入的问题。包括：磁隧道结、作为电流写入线的底电极层；磁隧道结用于存储数据，底电极层用于提供自旋轨道矩对数据进行写入；磁隧道结至少包括：固定层、势垒层和自由层；自由层与反铁磁层相邻，且反铁磁层和自由层之间形成交换偏置；在对应的底电极上施加电流，以将自由层和交换偏置的方向翻转至与电流垂直方向；通过在不同角度的电流写入线中施加电流来调控自由层和交换偏置翻转角度，以在整个磁阻范围内获得更多中间态。不仅可以实现数据的无磁场写入，还能实现极其稳定的多bit存储。
本发明授权一种基于反铁磁的多态存储器单元在权利要求书中公布了：1.一种基于反铁磁的多态存储器单元，其特征在于，多态存储器单元至少包括： 磁隧道结、作为电流写入线的底电极层；所述磁隧道结用于存储数据，所述底电极层用于提供自旋轨道矩对数据进行写入； 所述磁隧道结至少包括：固定层、势垒层和自由层；所述自由层与反铁磁层相邻，且所述反铁磁层和所述自由层之间形成交换偏置；在对应的所述底电极层上施加电流，以将所述自由层和所述交换偏置的方向翻转至与电流垂直方向；通过在不同角度的电流写入线中施加电流来调控所述自由层和交换偏置翻转角度，以在整个磁阻范围内获得更多中间态。
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