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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种等离子体光刻成像方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116027639B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211405494.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种等离子体光刻成像方法及装置是由丁虎文;韦亚一;刘丽红;董立松;李梓棋设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种等离子体光刻成像方法及装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种等离子体光刻成像方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像的目标成像结构，目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形，将目标掩模图形输入快速成像模型，得到目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，快速成像模型是利用目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的，本申请中通过目标成像结构的训练掩模图形以及训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练快速成像模型，这样该模型就可以后续用于快速输出目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，提高对于等离子体光刻成像的输出效率，为后续对等离子体光刻成像进行研究提供了有效模型，极大地方便了对于等离子体光刻技术的研究。

本发明授权一种等离子体光刻成像方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体光刻成像方法，其特征在于，包括： 获取等离子体光刻成像的目标成像结构，所述目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形； 将所述目标掩模图形输入快速成像模型，得到所述目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，所述快速成像模型是利用所述目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的； 所述训练掩模图形包括第一训练掩模图形，所述训练等离子体光刻成像包括第一训练等离子体光刻成像，所述方法还包括： 获取多个所述第一训练掩模图形，所述多个第一训练掩模图形的周期长度按照第一固定步长依次增加； 将所述多个第一训练掩模图形转换为第一矩阵； 获取多个第一训练掩模图形每个第一训练掩模图形对应的第一训练等离子体光刻成像； 将所述多个第一训练等离子体光刻成像转换为第二矩阵； 根据所述第一矩阵和所述第二矩阵训练所述快速成像模型； 所述训练掩模图形包括第二训练掩模图形，所述训练等离子体光刻成像包括第二训练等离子体光刻成像，所述方法还包括： 获取多个所述第二训练掩模图形，所述多个第二训练掩模图形的周期长度按照第二固定步长依次增加，所述第二固定步长小于所述第一固定步长，所述第一训练掩模图形的周期长度范围包括所述第二训练掩模图形的周期长度范围； 将所述多个第二训练掩模图形转换为第三矩阵； 获取多个第二训练掩模图形每个第二训练掩模图形对应的第二训练等离子体光刻成像； 将所述多个第二训练等离子体光刻成像转换为第四矩阵； 继续根据所述第三矩阵和所述第四矩阵训练所述快速成像模型。

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