南亚科技股份有限公司丘世仰获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210593600.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体元件结构及其制备方法是由丘世仰设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一第一基底、一第一井区、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一掺杂区以及一第一导电特征。该基底具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该第一井区位于该第一基底中。该第一井区具有一第一导电类型。该第一栅极结构设置在该第二表面上。该第二栅极结构设置在该第二表面上。该第一掺杂区具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型。该第一掺杂区经设置在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间。该第一导电特征在该第一基底的该第一表面和该第一掺杂区之间延伸。
本发明授权半导体元件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，包括： 一第一基底，具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面； 一第一井区，设置在该第一基底中，其中该第一井区具有一第一导电类型； 一第一栅极结构，设置在该第二表面上； 一第二栅极结构，设置在该第二表面上； 一第一掺杂区，具有与该第一导电类型不同的一第二导电类型，其中该第一掺杂区设置在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间； 一第一导电特征，在该第一基底的该第一表面和该第一掺杂区之间延伸， 一第二井区，设置在该第一基底中，并围绕该第一栅极结构和该第二栅极结构； 一第三井区，设置在该第一基底中并与该第二井区接触，其中该第三井区与该第一导电特征接触，且该第二井区和该第三井区中的每一个都具有该第二导电类型；以及 一第二掺杂区，设置在该第三井区中，其中该第二掺杂区具有该第二导电类型。
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