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龙图腾网获悉沈阳航空航天大学申请的专利一种CNT/Mxene纳米抽滤薄膜传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116045795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310040370.7，技术领域涉及：G01B7/16；该发明授权一种CNT/Mxene纳米抽滤薄膜传感器及制备方法是由卢少微;崔晓宇;刘兴民;李伟;汪英;孙景超;张璐;马承坤设计研发完成，并于2023-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CNT/Mxene纳米抽滤薄膜传感器及制备方法在说明书摘要公布了：一种CNTMxene纳米抽滤薄膜传感器及制备方法，属于纳米薄膜传感器领域，本发明方法制备的CNTMXene纳米薄膜传感器与传统抽滤法制备纯CNT薄膜传感器相比，具有更高的灵敏度、更好的力学性能、更少的成本、更优秀的贴合度，可以替代传统抽滤法制备的CNT薄膜传感器，进行复合材料结构件的实时健康监测。实现了传感器与绝缘封装一体成型，解决了传感器在监测导电复合材料结构件时的封装问题，将封装对传感器性能的影响降到最低，保证了传感器的应用范围不受材料种类的限制。该方法具有很高的精度、可设计性和可操作性，生产效率高，有利于应用和推广。

本发明授权一种CNT/Mxene纳米抽滤薄膜传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CNTMxene纳米抽滤薄膜传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：将一定量的过渡金属碳化物粉末加入到1-甲基-2-吡咯烷酮中混合均匀，得到低浓度MXene溶液，将低浓度MXene溶液进行超声剥离，高速离心，去除上层清液，沉淀物为高浓度MXene分散液，真空保存备用；其中，过渡金属碳化物粉末和1-甲基-2-吡咯烷酮的质量体积比为1:2.11-2.85； 步骤2：将一定量的PSU树脂和PVP树脂真空干燥后，与一定量的高浓度MXene分散液、1-甲基-2-吡咯烷酮混合，搅拌均匀，得到MXenePSUPVP溶液； 步骤3：将制备的MXenePSUPVP溶液在干净的玻璃板上涂敷制成薄膜，迅速将玻璃板浸没在去离子水中，等待薄膜从玻璃板脱落后，得到MXenePSU多孔膜； 步骤4：以制备的MXenePSU多孔膜为抽滤基体，将300-600mlCNT单分散水溶液均匀的抽滤进MXenePSU多孔膜中，真空干燥后，得到CNTMXene纳米抽滤薄膜；其中，真空干燥箱真空度为-0.06MPa，烘干温度为30-50℃，烘干时间为1-2h； 步骤5：将一定量的PSU树脂和PVP树脂真空干燥后，加入到有机溶剂中，搅拌，得到PSUPVP筑膜液，在干净的玻璃板上涂敷制备成薄膜，迅速将其浸没在去离子水中，浸泡，真空干燥后，得到PSU基体薄膜；其中，真空干燥箱真空度为-0.06MPa，烘干温度为50-70℃，烘干时间为1-2h； 步骤6：在PSU基体薄膜上用导电银浆进行打印电路，将CNTMXene纳米抽滤薄膜进行剪裁，与打印电路连接，得到未绝缘封装的CNTMXene纳米薄膜传感器； 步骤7：将一定量的水性聚酰胺溶解在去离子水中，制备成质量分数为0.2-1.0％的溶液，以未绝缘封装的CNTMXene纳米抽滤薄膜传感器为基体，抽滤100-300ml的PA溶液，真空干燥后，得到CNTMXene纳米抽滤薄膜传感器；其中，真空干燥箱真空度为-0.06MPa，烘干温度为30-50℃，烘干时间为1-2h。

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