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龙图腾网获悉武汉颐光科技有限公司申请的专利一种椭偏仪微光斑校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116067292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211690798.8，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权一种椭偏仪微光斑校准方法是由石雅婷;李伟奇;薛小汝;郭春付;何勇;张传维设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种椭偏仪微光斑校准方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种椭偏仪微光斑校准方法，选定一个标准测量样件，在椭偏仪大光斑模式下测得所述标准测量样件的第一反射光强信号；基于椭偏仪大光斑模式下的系统模型，利用第一反射光强信号对大光斑模式下的椭偏仪进行校准，获得系统参数；利用校准后的系统参数，在椭偏仪微光斑模式，测得所述标准测量样件的第二反射光强信号；基于椭偏仪微光斑模式下的系统模型，利用所述第二反射光强信号对微光斑模式下的椭偏仪进行二次校准，获得微光斑参数。本发明方法能够实现在全波段内基于微光斑模式下的椭偏仪系统校准。

本发明授权一种椭偏仪微光斑校准方法在权利要求书中公布了：1.一种椭偏仪微光斑校准方法，其特征在于，包括： 选定一个标准测量样件，在椭偏仪大光斑模式下测得所述标准测量样件的第一反射光强信号； 基于椭偏仪大光斑模式下的系统模型，利用第一反射光强信号对大光斑模式下的椭偏仪进行校准，获得系统参数；所述系统参数至少包括入射角AOI和样件膜厚THK以及双旋转波片椭偏仪的起偏臂偏振片方位角P、检偏臂偏振片方位角A、第一旋转波片初始方位角C1、第二旋转波片初始方位角C2、第一旋转波片的相位延迟量、第二旋转波片的相位延迟量； 利用校准后的系统参数，在椭偏仪微光斑模式，测得所述标准测量样件的第二反射光强信号； 基于椭偏仪微光斑模式下的系统模型，利用所述第二反射光强信号对微光斑模式下的椭偏仪进行二次校准，获得微光斑参数，所述微光斑参数包括双旋转波片椭偏仪中第一微光斑组件和第二微光斑组件的相位延迟量和，以及微光斑相位差； 基于椭偏仪微光斑模式下的系统模型，利用所述第二反射光强信号对微光斑模式下的椭偏仪进行二次校准，获得微光斑参数，包括： S701，在全波段内选取某一段作为分析波段，将微光斑相位差固定在某一确定值，在分析波段内对第一微光斑组件和第二微光斑组件的相位延迟量和，以及入射角AOI和标样膜厚THK进行校准，并计算膜厚和入射角校准值在分析波段内的方差； S702，遍历微光斑相位差，重复步骤S701，获得膜厚和入射角方差随微光斑相位差变化的曲线，以二次函数拟合曲线并找到曲线最低点；如果膜厚方差曲线的最低点和入射角方差曲线的最低点对应的微光斑相位差一致，则认为最低点对应的微光斑相位差为其真值； S703，将微光斑相位差固定在其真值，在所选分析波段内校准微光斑相位延迟量和，以及入射角AOI和标样膜厚THK，并将AOI和THK取均值； S704，利用所述入射角AOI和样件厚度THK的均值，在全波段范围内校准微光斑相位延迟量和，以及微光斑相位差。

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