美光科技公司L·雷蒙多获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于单元存储器编程缩短的集成电路、存储器装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211376019.7，技术领域涉及：G11C16/30；该发明授权用于单元存储器编程缩短的集成电路、存储器装置及方法是由L·雷蒙多;F·保利尼;U·西奇利亚尼;V·莫斯基亚诺;G·法拉利;D·埃斯波西托;W·迪·弗朗西斯可设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于单元存储器编程缩短的集成电路、存储器装置及方法在说明书摘要公布了：本申请涉及缩短的单层级单元存储器编程。存储器装置包含被配置为单层级单元存储器的存储器单元阵列和以操作方式耦合到所述存储器单元阵列的控制逻辑。所述控制逻辑执行包含以下各项的操作：致使所述存储器单元阵列内的待编程子块集的硬件初始化；致使预调节所述子块集中的第一子块以用于编程操作；致使多个数据页编程到所述子块集中的相应子块集；和在编程所述多个数据页之后，选择性地致使对所述子块集的存储器单元执行编程校验。
本发明授权用于单元存储器编程缩短的集成电路、存储器装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器单元阵列，其被配置为单层级单元存储器；和 控制逻辑，其以操作方式耦合到所述存储器单元阵列，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作： 致使所述存储器单元阵列内的多个待编程子块的硬件初始化； 致使预调节所述多个子块中的第一子块以用于编程操作； 致使多个数据页编程到所述多个子块中的相应子块，其包括： i致使将所述多个数据页中的第一页编程到所述第一子块的编程脉冲发送到所述第一子块； ii致使在所述第一子块处执行恢复操作；和 iii致使在所述多个子块中的第二子块处执行预调节所述第二子块以用于编程的经缩减接种操作；和 在编程所述多个数据页之后，选择性地致使对所述多个子块的存储器单元执行编程校验。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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