散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所周良获国家专利权
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龙图腾网获悉散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所申请的专利一种中子靶站插入件和中子谱仪分束系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116106965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211436543.9,技术领域涉及:G01T3/00;该发明授权一种中子靶站插入件和中子谱仪分束系统是由周良;胡春明;丁超;邱杰设计研发完成,并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中子靶站插入件和中子谱仪分束系统在说明书摘要公布了:一种中子靶站插入件和中子谱仪分束系统,中子靶站插入件包括外壳、屏蔽壳、第一中子导管和第二中子导管,屏蔽壳具有两个贯通的安装道用于安装成角度设置的第一中子导管和第二中子导管,外壳具有安装腔用于安装屏蔽壳。由于屏蔽壳内设有成夹角设置的第一中子导管和第二中子导管,经由中子靶站插入件可以传输两条成角度的中子束流,使得中子反应堆或靶站可以同时输出两条中子束流到两个独立的谱仪大厅,大幅提高反应堆或者靶站的利用率。
本发明授权一种中子靶站插入件和中子谱仪分束系统在权利要求书中公布了:1.一种中子靶站插入件,其特征在于,包括: 外壳,所述外壳具有一贯通的安装腔; 屏蔽壳,所述屏蔽壳设于所述安装腔内,所述屏蔽壳具有两个贯通的安装道; 以及,第一中子导管和第二中子导管,所述第一中子导管和所述第二中子导管分别设于两个所述安装道内,所述第一中子导管和所述第二中子导管成夹角设置,使得所述第一中子导管和所述第二中子导管沿与中子传输方向相反的方向逐渐靠近; 所述安装腔包括一块基板、两块侧板和一块顶板,所述基板、所述侧板和所述顶板围合形成所述安装腔,所述基板与所述顶板相对设置,两块所述侧板相对设置;所述屏蔽壳与所述基板连接; 所述中子靶站插入件还包括高程板,所述屏蔽壳与所述高程板连接,所述高程板与所述基板连接,所述高程板与所述基板的相对位置可调节; 所述安装道的端口处设有中子导管调节机构,所述中子导管调节机构用于调节所述第一中子导管和所述第二中子导管在所述安装道内的位置,所述中子导管调节机构包括环绕所述端口设置的若干顶丝,所述顶丝与所述第一中子导管和所述第二中子导管相抵,用于调节所述第一中子导管和所述第二中子导管在所述屏蔽壳内上下左右位置; 所述第一中子导管和所述第二中子导管在所述屏蔽壳内左右间隔布置,所述第二中子导管的高度高于所述第一中子导管,用于安装所述第二中子导管的所述安装道的底面所在位置高于用于安装所述第一中子导管的安装道的底面。
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