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龙图腾网获悉苹果公司申请的专利宽带背照式电磁辐射检测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116113808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180058238.8，技术领域涉及：G01J1/02；该发明授权宽带背照式电磁辐射检测器是由M·A·阿尔伯雷;M·T·莫雷;M·M·坎加斯;R·F·谢瓦利尔;T·萨米恩托设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽带背照式电磁辐射检测器在说明书摘要公布了：一种电磁辐射检测器包括：InP基板，该InP基板具有与第二表面相对的第一表面；第一InGaAs电磁辐射吸收器，该第一InGaAs电磁辐射吸收器堆叠在该第一表面上并被配置为吸收第一组电磁辐射波长；一组一个或多个缓冲层，该一组一个或多个缓冲层堆叠在该第一InGaAs电磁辐射吸收器上并且被配置为吸收该第一组电磁辐射波长中的至少一些电磁辐射波长；第二InGaAs电磁辐射吸收器，该第二InGaAs电磁辐射吸收器堆叠在该一组一个或多个缓冲层上并且被配置为吸收第二组电磁辐射波长；以及浸没式聚光透镜，该浸没式聚光透镜形成在该第二表面上并被配置为引导电磁辐射穿过该InP基板并将其导向该第一InGaAs电磁辐射吸收器和该第二InGaAs电磁辐射吸收器。

本发明授权宽带背照式电磁辐射检测器在权利要求书中公布了：1.一种电磁辐射检测器，包括： 磷化铟InP基板，所述磷化铟基板具有与第二表面相对的第一表面； 第一砷化铟镓InGaAs电磁辐射吸收器，所述第一砷化铟镓电磁辐射吸收器堆叠在所述第一表面上并且被配置为吸收第一组电磁辐射波长； 一组一个或多个缓冲层，所述一组一个或多个缓冲层堆叠在所述第一InGaAs电磁辐射吸收器上并且被配置为吸收所述第一组电磁辐射波长中的至少一些电磁辐射波长； 第二InGaAs电磁辐射吸收器，所述第二InGaAs电磁辐射吸收器堆叠在所述一组一个或多个缓冲层上并且被配置为吸收第二组电磁辐射波长；和 浸没式聚光透镜，所述浸没式聚光透镜形成在所述第二表面上并且被配置为引导电磁辐射穿过所述InP基板并且将其导向所述第一InGaAs电磁辐射吸收器和所述第二InGaAs电磁辐射吸收器；其中， 所述第二组电磁辐射波长包括不在所述第一组电磁辐射波长中的至少一些电磁辐射波长；以及 所述第一InGaAs电磁辐射吸收器的第一响应度和所述第二InGaAs电磁辐射吸收器的第二响应度在处于1.85µm至2.0µm的水分吸收带内的电磁辐射波长处具有交变点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苹果公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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