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龙图腾网获悉西北核技术研究所申请的专利一种双端口CMOS图像传感器像素结构及5T像素结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153953B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211667879.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种双端口CMOS图像传感器像素结构及5T像素结构是由刘璐;严明;杨少华;李斌康;郭明安;李刚;周二瑞;王晶;时明月设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双端口CMOS图像传感器像素结构及5T像素结构在说明书摘要公布了：本发明涉及CMOS图像传感器的像素结构，具体涉及一种双端口CMOS图像传感器像素结构及5T像素结构，解决了现有CMOS图像传感器时间分辨能力低的技术问题。本发明提供的像素结构为轴对称结构，包括一个光电二极管、两个电荷转移晶体管和两个存储节点。其中，光电二极管为轴对称的多边形结构，由多个类梯形和一个类锥形组成；电荷转移晶体管栅极的主体结构为斜矩形，其一侧分别与类锥形形状的两条腰线接触；存储节点为直角三角形结构，其斜边分别与两个电荷转移晶体管栅极的另一侧接触。本发明能够在光电二极管内部产生电荷转移电场，使两个端口均能够实现很高的电荷转移速度，增强了像素结构的时间分辨能力，可应用于具有双电荷转移端口的像素结构。

本发明授权一种双端口CMOS图像传感器像素结构及5T像素结构在权利要求书中公布了：1.一种双端口CMOS图像传感器像素结构，其特征在于：包括光电二极管101、第一电荷转移晶体管102、第一存储节点103、第二电荷转移晶体管104和第二存储节点105； 所述光电二极管101用于将采集到的光像素信号转换为光生电荷信号，其阳极接地，阴极与第一电荷转移晶体管102的源极、第二电荷转移晶体管104的源极耦接；所述光电二极管101为由m个类梯形结构106和一个类锥形结构107组成的轴对称的多边形结构，其中，m≥1，且m为整数； m个所述类梯形结构106的内部产生由其短底边朝向长底边的电荷转移电场，其长底边和类锥形结构107的长底边接触，将光生电荷信号转移至类锥形结构107； 所述类锥形结构107分别与第一电荷转移晶体管102的源极、第二电荷转移晶体管104的源极耦接，其两条腰线分别与第一电荷转移晶体管102和第二电荷转移晶体管104的栅极接触，其内部产生电荷转移电场，将光生电荷信号向其中央区域方向转移，并在第一电荷转移晶体管102或第二电荷转移晶体管104打开时，将光生电荷信号向第一电荷转移晶体管102或第二电荷转移晶体管104的方向快速转移； 所述第一电荷转移晶体管102的漏极与第一存储节点103耦接，栅极与外部输入信号连接，用于在外部输入高电压信号时将光生电荷信号由光电二极管101传输至第一存储节点103； 所述第二电荷转移晶体管104的漏极与第二存储节点105耦接，栅极连接外部输入信号，用于在外部输入高电压信号时将光生电荷信号由光电二极管101传输至第二存储节点105； 所述第一存储节点103、第二存储节点105用于收集转移来的光生电荷信号并将其转换为电压信号输出。

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