买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153978B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310158874.9，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件是由罗小蓉;邓鸿儒;彭小松;蒋卓林;魏雨夕;魏杰设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难、难以实现增强型以及逆向导通电压大、电流小等问题，提出一种兼具高阈值电压和优良逆导功能的横向增强型氧化镓场效应晶体管。利用氧化镓沟道与P型氧化物半导体形成的PN异质结产生的耗尽区将鳍状氧化镓沟道夹断，从而器件实现增强型且具备高耐压、低泄漏电流等优良特性；当栅压高于阈值电压，鳍状沟道耗尽区收缩并在栅下形成电子积累层，从而器件导通。本发明的氧化镓功率器件兼具高阈值电压、低逆导电压和大逆导电流，以及高耐压、低导通电阻和易于集成的优点。

本发明授权一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件在权利要求书中公布了：1.一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件，从下至上为氧化镓衬底层1、氧化镓缓冲层2、氧化镓外延层3；所述氧化镓外延层3两端具有源区4和漏区5；所述源区4上表面引出源极，所述漏区5上表面引出漏极；其特征在于，在所述氧化镓外延层3中形成鳍状沟道区6，在器件横向方向上，鳍状沟道区6的一侧与源区4接触，另一侧与漏区有间距；沿器件纵向方向，所述鳍状沟道区6由多个间断设置的P型氧化物半导体层61及其间的氧化镓外延层3、以及P型氧化物半导体层61包围着的金属62构成，相邻的P型氧化物半导体层61上表面之间形成栅极结构，包括栅介质层63和栅极金属64，所述栅介质层63覆盖相邻的P型氧化物半导体层61之间的氧化镓外延层3的上表面，在栅介质层63上表面还覆盖有栅极金属64，在栅极金属64上表面引出栅极；金属62的上表面与P型氧化物半导体层61的上表面齐平，并且金属62不与栅介质层63接触，金属62的上表面引出端与源极相连；其中，P型氧化物半导体层61与氧化镓外延层3及源区4相接触形成异质结。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。