三星电子株式会社孙荣皖获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直非易失性存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310158655.0，技术领域涉及：H10B20/00；该发明授权垂直非易失性存储器装置是由孙荣皖;张在薰;韩智勋设计研发完成，并于2017-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直非易失性存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种垂直非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括在基底上的下绝缘层、包括交替地堆叠在下绝缘层上的栅电极和层间绝缘层的多层结构、栅极电介质以及沟道结构，并且非易失性存储器装置具有穿过多层结构延伸并暴露下绝缘层的开口。开口包括以第一宽度穿过多层结构中的至少一层延伸的第一开口部分以及以比第一宽度小的第二宽度穿过多层结构延伸的第二开口部分。栅极介电层位于开口中，沟道结构设置在栅极介电层上并电连接到基底。
本发明授权垂直非易失性存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，包括： 半导体层； 下绝缘层，设置在半导体层上； 多个层的多层结构，包括交替地堆叠在下绝缘层上的栅电极和层间绝缘层，所述多层结构具有包括第一部分和第二部分的开口； 栅极电介质，沿开口的侧部和底部延伸；以及 沟道结构，设置在开口内的栅极电介质上并沿开口的侧部和底部延伸，沟道结构穿过下绝缘层延伸并电连接到半导体层， 其中，第一部分从下绝缘层的底表面竖直地延伸到所述多层结构的至少一层， 第二部分位于第一部分上并且穿过所述多层结构竖直地延伸， 开口的第一部分具有第一宽度，并且开口的第二部分具有小于第一宽度的第二宽度， 所述多层结构包括第一结构和第二结构，第一结构包括开口的第一部分，第二结构包括开口的第二部分， 开口的第一部分的高度相对于第一宽度小于或等于1，并且开口的第二部分的高度相对于第二宽度等于或大于1，并且 下绝缘层通过沉积工艺仅包括一个绝缘层，所述一个绝缘层设置在第一结构中的最下栅电极与半导体层之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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