无锡华润上华科技有限公司何乃龙获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利集成电路结构及光刻版获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111478967.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权集成电路结构及光刻版是由何乃龙;张森;王浩;赵景川;姚玉恒设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路结构及光刻版在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成电路结构及光刻版，所述光刻版，包括：LDMOS器件区，用于形成LDMOS器件；控制电路区，用于形成控制电路；第一隔离结构图形，围绕所述LDMOS器件区设置，所述第一隔离结构图形用于形成将所述LDMOS器件与所述控制电路隔离开的第一隔离结构。本发明通过第一隔离结构将LDMOS器件与控制电路隔离开，能够避免LDMOS器件与控制电路之间产生寄生效应，从而改善ESD保护失效。
本发明授权集成电路结构及光刻版在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括衬底，其特征在于，所述衬底中形成有： LDMOS器件； 控制电路； 高压器件； 其中，所述集成电路结构还包括设于所述LDMOS器件和控制电路之间的第一隔离结构和第三阱区，所述第一隔离结构用于将所述LDMOS器件与所述控制电路隔离开，所述第一隔离结构设于所述第三阱区内，所述第三阱区的深度大于所述第一隔离结构的深度，所述第三阱区具有第一导电类型； 所述衬底具有第二导电类型，所述LDMOS器件包括第一阱区，所述控制电路包括第二阱区，所述第一阱区和第二阱区具有第一导电类型；所述第一隔离结构和第三阱区设于所述第一阱区和第二阱区之间，且所述第一隔离结构和第三阱区的深度大于所述第一阱区和第二阱区的深度；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；所述第一隔离结构为深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构从所述衬底的表面向下延伸，所述深沟槽隔离结构在深沟槽中形成有硅氧化物实现绝缘隔离；所述第三阱区与所述第一阱区之间被所述衬底隔开，所述第三阱区与所述第二阱区之间被所述衬底隔开。
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