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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种双极欠压锁定保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116260105B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310113984.3，技术领域涉及：H02H3/24；该发明授权一种双极欠压锁定保护电路是由鲁亚翠;白欢利;李新瑞;尤路;魏海龙;王勇设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双极欠压锁定保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双极欠压锁定保护电路，包括电阻比例电流镜和启动电路，电阻比例电流镜包括LPNP1管、LPNP2管和LPNP3管，LPNP1管发射极通过电阻R1与电源Vcc连接，LPNP2管发射极通过电阻R2与电源Vcc连接；LPNP2管与LPNP3管共基极，LPNP2管集电极LPNP3管发射极连接，LPNP3集电极通过电阻R3接地；LPNP2管集电极与偏置电路以及电流源连接；偏置电路和电流源分别与达林顿管的集电极和基极连接，达林顿管的发射极与电阻R9第一端连接，R9第二端与NPN19管的集电极连接，NPN19管的基极与集电极连接，发射极接地；具有工艺简单、功耗低、阈值电压精度高、可靠性高的特点。

本发明授权一种双极欠压锁定保护电路在权利要求书中公布了：1.一种双极欠压锁定保护电路，其特征在于，包括电阻比例电流镜，所述电阻比例电流镜包括LPNP1管、LPNP2管和LPNP3管，所述LPNP1管发射极通过电阻R1与电源Vcc连接，所述LPNP2管发射极通过电阻R2与电源Vcc连接； 所述LPNP2管与LPNP3管共基极，LPNP2管集电极LPNP3管发射极连接，LPNP3集电极通过电阻R3接地； 所述LPNP2管集电极与偏置电路以及电流源连接；所述偏置电路与达林顿管的集电极连接，所述电流源与达林顿管的基极连接，所述达林顿管的发射极与电阻R9第一端连接，所述电阻R9第二端与NPN19管的集电极连接，所述NPN19管的基极与集电极连接，发射极接地； 所述电源Vcc与启动电路连接，所述启动电路与NPN15管的基极、NPN15管的集电极以及NPN16管的集电极连接，所述NPN15管的发射极与NPN16管的基极，所述NPN16管的发射极接地； 所述电流源包括LPNP7管、LPNP8管和LPNP9管，所述LPNP7管和LPNP8管共基极，所述LPNP7管的集电极与LPNP9管的发射极连接，所述LPNP8的集电极与LPNP9管的基极连接，所述LPNP9管的集电极与带发射极反馈的共射放大结构连接，所述LPNP9管的基极与简单共射放大结构连接； 所述偏置电路包括NPN6管、PNP17管、NPN18管、电阻R5、电阻R6和电阻R10，所述NPN6管的集电极与其基极以及LPNP2管的集电极以及连接，发射极与NPN17管的基极连接，所述NPN17管的集电极与电源VCC以及NPN18管的集电极连接，所述NPN17管的发射极与NPN18管的基极连接，所述NPN18管的发射极与电阻R5的第一端连接，所述电阻R5的第二端与电阻R6第一端连接，所述电阻R6的第二端与电阻R10第一端连接，所述电阻R10的第二端接地。

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