上海华虹宏力半导体制造有限公司于涛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310471132.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制造方法是由于涛;岑贵设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，在衬底上形成栅极，栅极侧壁上依次形成有第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙覆盖栅极两侧的部分衬底，第二侧墙覆盖第一侧墙的侧面和顶面；去除部分第二侧墙，使覆盖衬底的部分第一侧墙的顶面被暴露；在栅极两侧未被第二侧墙覆盖的衬底内形成离子注入区，离子注入区中远离栅极且未被第一侧墙覆盖的部分具有第一深度，靠近栅极且被第一侧墙覆盖的部分具有第二深度，第一深度大于第二深度；去除第二侧墙。本发明使离子注入区中靠近栅极部分的第二深度小于离子注入区中远离栅极的部分的第一深度，缩短了侧墙宽度，抑制了半导体器件的短沟道效应，在不影响器件性能的前提下缩小了半导体器件的器件尺寸。
本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极的侧壁上形成有第一侧墙，且所述第一侧墙覆盖所述栅极两侧的部分衬底，所述第一侧墙上形成有第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的侧面和顶面；所述第一侧墙沿垂直所述栅极的延伸方向的截面呈L型； 去除部分所述第二侧墙，使覆盖所述衬底的部分第一侧墙的顶面被暴露，并使所述第一侧墙中靠近所述栅极顶部的部分暴露； 进行离子注入工艺，在所述栅极两侧的未被所述第二侧墙覆盖的衬底内形成离子注入区，所述离子注入区中远离所述栅极且未被所述第一侧墙覆盖的部分具有第一深度，所述离子注入区中靠近所述栅极且被所述第一侧墙覆盖的部分具有第二深度，所述第一深度大于所述第二深度；以及， 去除所述第二侧墙。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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