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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有PN叠型耐压层结构的可关断晶闸管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314310B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310406370.4，技术领域涉及：H10D18/65；该发明授权一种具有PN叠型耐压层结构的可关断晶闸管是由陈万军;周彭炜;夏云;刘超;孙瑞泽;郑崇芝;张波设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有PN叠型耐压层结构的可关断晶闸管在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有低关断损耗以及高可关断电流的可关断晶闸管GTO，Gateturn‑offThyristor,简称GTO。相对于传统的可关断晶闸管，本发明在器件的采用PN叠型耐压层结构，其位于N型电场截止层上方以及P型基区下方，其由低掺杂的P型漂移区和低掺杂的N型漂移区相叠构成。在关断时，本发明可关断晶闸管电场峰值位于P型漂移区和N型漂移区的交界处，电场分别向阳极方向和阴极方向拓展，因此电场建立的更快，关断损耗更低。同时电场峰值位置的改变降低了最大电场，从而增加了可以关断的最大电流。本发明的有益成果：改善了关断时的电场分布，关断时关断损耗显著降低，同时最大可关断电流得到显著提升。

本发明授权一种具有PN叠型耐压层结构的可关断晶闸管在权利要求书中公布了：1.一种具有PN叠型耐压层结构的可关断晶闸管，其半元胞包括阳极结构、电场截止层结构、复合耐压层结构、基区结构、栅极结构和阴极结构；其特征在于， 所述阳极结构包括阳极金属1以及P+阳极区2；所述P+阳极区2位于阳极金属1上表面；所述阳极金属1引出端为阳极； 所述电场截止层结构包括高浓度的N型电场截止层3；所述N型电场截止层3位于所述P+阳极区2的上表面； 所述复合耐压层结构包括N型漂移区4以及P型漂移区5；所述P型漂移区5采用和所述N型漂移区4相反的掺杂电荷，同时P型漂移区5采用和所述N型漂移区4相同的掺杂浓度，并且N型漂移区4的掺杂浓度远低于N型电场截止层3或者P型基区6的掺杂浓度；所述P型漂移区5位于所述N型漂移区4的上表面，N型漂移区4位于N型电场截止层3上表面； 所述基区结构和栅极结构包括P型基区6、高浓度的P型栅极区10和栅极金属9；所述P型基区6位于P型漂移区5上表面，所述P型栅极区10位于P型基区6一端的上层，所述栅极金属9位于P型栅极区10上表面；所述栅极金属9引出端为栅极； 所述阴极结构包括阴极金属8和N+阴极区7；所述N+阴极区7位于P型基区6另一端的上表面，N+阴极区7与栅极金属9均位于P型基区6上表面且两者之间有间距；所述阴极金属8位于N+阴极区7上表面；位于所述阴极金属8引出端为阴极。

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