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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种基于二维拓扑材料的宽波段光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310036843.6，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种基于二维拓扑材料的宽波段光电探测器及其制备方法是由刘富才;李长存;梁磊设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二维拓扑材料的宽波段光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二维拓扑材料的宽波段光电探测器及其制备方法，本发明涉及光电探测器制备技术领域。该方法包括以下步骤：将Ni粉、Ta粉和Te粉混合，研磨；投入石英管中，加入碘，加热，同时建立温差，保持一周，冷却，然后在低温区获取的晶体材料中挑选，得到纯相的目标单晶样品；解离到薄层，并转移到基底上，然后和刻有电极图案的掩模版进行贴合与固定，再在蒸镀CrAu电极，制得基于二维拓扑材料的宽波段光电探测器。本发明制得的基于Ta2Ni3Te5薄片的光电探测器在自供电模式下呈现出快速响应时间、高响应度和非局域化光电流响应，本发明解决了现有技术中光电探测器性能较差的问题。

本发明授权一种基于二维拓扑材料的宽波段光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维拓扑材料的宽波段光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将Ni粉、Ta粉和Te粉混合，研磨，制得混合原料； 2将步骤1制得的混合原料投入石英管中，加入碘，抽真空密封，于8-12h内加热至750650℃，同时建立100℃的温差，保持一周，冷却至室温，然后在低温区获取的晶体材料中挑选，得到纯相的目标单晶样品； 3将步骤2制得的目标单晶样品采用机械剥离法解离到薄层，并转移到基底上，然后将刻有电极图案的掩模版和目标单晶样品进行贴合与固定，再在目标单晶样品表面蒸镀CrAu电极，制得基于二维拓扑材料的宽波段光电探测器； 步骤1中，Ni、Ta和Te的摩尔比为3：2：5； 步骤2中，混合原料和碘的质量比为400-600：40-60； 步骤2中，采用XRD在低温区获取的晶体材料中挑选纯相的目标单晶样品； 步骤3中，基底为SiO2Si基底； 步骤3中，通过三维位移台将刻有电极图案的掩模版固定在三维位移台上，完成贴合与固定过程； 步骤3中，采用电子束蒸镀在目标单晶样品表面蒸镀CrAu电极。

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