中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司余潜获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116339066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111621475.9，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质是由余潜;杜杳隽设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供初始版图层，初始版图层包括第一图形，第一图形具有沿关键尺寸方向的第一尺寸；沿关键尺寸方向，将第一图形拆分为第二图形，第二图形构成的组合图形与相对应的第一图形相同，第二图形具有沿关键尺寸方向的第二尺寸，第二尺寸均小于或等于预设尺寸；将初始版图层拆分为多个版图层，将每个第一图形对应的第二图形分别置于不同的版图层中。本发明提高在晶圆上形成的第一图形对应的结构的精准度，且有利于提高利用光学邻近修正方法修正的版图层进行图形转换的精度。
本发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括： 提供初始版图层，所述初始版图层包括第一图形，所述第一图形具有沿关键尺寸方向的第一尺寸； 沿所述关键尺寸方向，将所述第一图形拆分为第二图形，所述第二图形构成的组合图形与相对应的所述第一图形相同，所述第二图形具有沿所述关键尺寸方向的第二尺寸，所述第二尺寸均小于或等于预设尺寸； 将所述初始版图层拆分为多个版图层，将每个所述第一图形对应的所述第二图形分别置于不同的版图层中。
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