中国核动力研究设计院尹星获国家专利权
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龙图腾网获悉中国核动力研究设计院申请的专利一种高致密化氧化铝涂层及其加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116555708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310235370.2，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种高致密化氧化铝涂层及其加工工艺是由尹星;陈勇;孙永铎;赵可;王浩;王辉;肖军设计研发完成，并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高致密化氧化铝涂层及其加工工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高致密化氧化铝涂层及其加工工艺，属于陶瓷涂层材料技术领域。所述氧化铝涂层至少包括一层氧化铝单层，每一所述氧化铝单层上形成有离子轰击氧化铝单层表面得到的致密界面层；所述氧化铝单层由满足非化学计量比的AlOx构成，其中，氧含量：0x1.5。本发明提供的高致密化氧化铝涂层及其加工工艺，通过离子轰击和磁控溅射工艺结合，利用弧放电离子源产生的离子轰击氧化铝单层形成致密界面层，有效提高氧化铝涂层整体的致密性，有效解决了氧化铝涂层的多孔、致密性差的问题，确保氧化铝涂层在高温、高腐蚀环境下的结构稳定性。
本发明授权一种高致密化氧化铝涂层及其加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种高致密化氧化铝涂层，其特征在于，设置在高温结构材料表面，所述氧化铝涂层至少包括一层氧化铝单层，每一所述氧化铝单层上形成有离子轰击氧化铝单层表面得到的致密界面层；所述氧化铝单层由满足非化学计量比的AlOx构成，其中，氧含量：0x1.5； 所述致密界面层由弧放电离子源轰击得到，所述弧放电离子源轰击的步骤包括通入刻蚀气体，气压控制在0.3Pa～2Pa，利用弧放电离子源对氧化铝单层轰击，电流50A～100A，离子能量50～200eV。
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