苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体发光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116584011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107496.6，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权半导体发光器件及其制备方法是由程凯设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体发光器件及半导体发光器件的制备方法。该半导体发光器件的制备方法包括：在一衬底上形成掩膜层，所述掩膜层设有暴露所述衬底的多个开口；在所述开口处对所述衬底进行刻蚀形成第一凹槽，在所述第一凹槽内形成第一反射镜；在所述第一反射镜外延生长发光结构，所述发光结构包括依次外延生长第一导电类型半导体层、多量子阱层以及第二导电类型半导体层；在所述发光结构远离所述第一反射镜的一侧形成第二反射镜。在所述第一凹槽内形成第一反射镜以形成多个间隔设置的第一反射镜，无需再进行第一反射镜的图案化步骤，简化了半导体发光器件的制备工艺。
本发明授权半导体发光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光器件的制备方法，其特征在于，包括： 在一衬底上形成掩膜层，所述掩膜层设有暴露所述衬底的多个开口，多个所述开口间隔设置； 在所述开口处对所述衬底进行刻蚀形成第一凹槽，在所述第一凹槽内形成第一反射镜， 其中，所述第一反射镜为多孔导电结构，所述多孔导电结构包括经过电化学腐蚀后形成的交替堆叠的第一多孔导电层与第二多孔导电层，所述第一多孔导电层中形成有多个第一孔洞，所述第二多孔导电层中形成有多个第二孔洞，所述第一孔洞的直径与第二孔洞的直径不同； 在所述第一反射镜上外延生长发光结构，所述发光结构包括依次外延生长的第一导电类型半导体层、多量子阱层以及第二导电类型半导体层； 在所述发光结构远离所述第一反射镜的一侧形成第二反射镜。
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