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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利基于源装置的正电子湮没寿命测量系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116609371B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310726345.4，技术领域涉及：G01N23/225；该发明授权基于源装置的正电子湮没寿命测量系统及方法是由张红强;王宝义;刘福雁;王英杰;曹兴忠;张鹏;况鹏;于润升;魏龙设计研发完成，并于2023-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于源装置的正电子湮没寿命测量系统及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于源装置的正电子湮没寿命测量系统及方法，包括源室、起始伽马探测器、停止伽马探测器和正电子探测器；22Na放射源固定于源室表面，源室与正电子探测器紧贴薄膜样品两侧且呈相向对称放置，位置相对固定；起始伽马探测器和停止伽马探测器放置于正电子探测器两侧，分别负责对放射源发射正电子时级联产生的1.28MeV伽马光子和正电子湮没后产生的0.511MeV伽马光子进行探测。本发明通过提高非样品侧正电子射程，减小远端湮没伽马光子探测效率实现噪声正电子的有效去除，减少了电子学体量；在样品侧精准识别正电子湮没位置，排除非样品中正电子湮没成分，突破测量样品厚度限制，实现薄膜样品正电子湮没寿命测量。

本发明授权基于源装置的正电子湮没寿命测量系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于源装置的正电子湮没寿命测量系统，其特征在于：包括源室、起始伽马探测器、停止伽马探测器、正电子探测器；22Na放射源固定于源室表面，源室与正电子探测器紧贴薄膜样品两侧且呈相向对称放置，位置相对固定；起始伽马探测器和停止伽马探测器以放射源为中心放置于正电子探测器两侧，分别负责对放射源发射正电子时级联产生的1.28MeV伽马光子和正电子湮没后产生的0.511MeV伽马光子进行探测；测量时，通过提高非样品侧正电子射程，减小远端湮没伽马光子探测效率实现噪声正电子的有效去除；在样品侧精准识别正电子湮没位置，排除非样品中正电子湮没成分，实现薄膜样品正电子湮没寿命测量； 所述源室和正电子探测器用于排除非样品中湮没伽马光子对测量的干扰；所述源室内部为空气或真空环境，几何形状和内部空间大小根据具体应用场景布置，为球形或圆柱形，保证未进入样品的正电子在距离样品足够远的源室壁上湮没，有效减少停止伽马探测器对湮没伽马光子的探测效率，从而排除此部分正电子湮没事例；正电子探测器对穿透薄膜样品的正电子进行探测，再通过后端符合反符合测量电路对穿透薄膜正电子在样品以外材料中的湮没成分进行排除； 所述起始和停止伽马探测器均采用具有高时间分辨的闪烁体和与之耦合的快响应的光电转换器，所述闪烁体包括BaF2、LaBr3或LYSO，所述光电转换器包括光电倍增管或硅光电倍增管； 所述正电子探测器由塑料闪烁片耦合快响应光电转换器组成，负责探测穿透薄膜样品且进入其中的正电子；正电子进入塑料闪烁片中沉积能量时，将产生荧光光子，通过光电转换器将荧光转化为电信号输出至后端电路进行进一步处理；正电子探测器所采用塑料闪烁片的厚度保证正电子在塑料闪烁片中沉积足够的能量，相应产生足够多的荧光光子，使探测器信号幅度高于电子学噪声，满足入射正电子的完全探测，从而实现非样品中湮没事例的完全排除；同时，塑料闪烁片厚度使得伽马光子的探测效率尽可能小，减少样品中正电子湮没事例的错误排除。

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