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龙图腾网获悉山东华芯半导体有限公司申请的专利一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116610264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310729359.1，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法是由蒋书斌;曹成;李瑞东设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及存储器领域，具体涉及一种基于wordline分组优化NANDFlash性能的方法，包括以下步骤，将Block依次分为一级、二级、三级分组；在一级分组时进行正常读写，在二级分组时保存不同的时长，在三级分组时为每个分组分配不同的读干扰次数；使用不同的电压轴读取block；选取各单一变量下的WL分组并依次分为X组、Y组及Z组，再将X组、Y组及Z组拆分为更细致地A组，最终以不同的电压轴读取整个Block。本发明解决了单一电压轴读取整个Block导致的错误数较多的问题，本发明使用灵活的电压轴读取整个Block，可提高NAND的使用寿命，提高性能。

本发明授权一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于wordline分组优化NANDFlash性能的方法，其特征在于，包括以下步骤， S01以磨损程度为标准对Block进行第一次分组，得到i个一级分组； S02对所述一级分组在一定温度下正常擦除写入一次，并记录写入量达到100%时的时刻； S03基于一级分组结果将每个所述一级分组平均分为j个二级分组； S04依据NANDFlash厂商所给出的最大保存时长，划分为j个保存时长并分配给j个所述二级分组，所述保存时长数值构成等差数列，等差数列的首项为0，尾项为最大保存时长，公差为最大保存时长j-1； S05各所述二级分组在一定温度下按照所分配的保存时长保存；保存时长的初始时刻为所述步骤S02中，写入量达到100%时的时刻； S06基于二级分组结果将每个所述二级分组平均分为k个三级分组； S07依据NANDFlash厂商所给出的最大读干扰次数，划分为k个读干扰次数并分配给k个所述三级分组，各所述三级分组的读干扰次数数值构成等差数列，等差数列的首项为0，尾项为最大读干扰次数，公差为最大读干扰次数k-1； S08使用不同的电压轴在相同温度下读取block； S09选取不同一级分组间保存时长相同的二级分组下读干扰次数也相同的三级分组，提取错误数相近和或变化趋势相同的wordline组成X1，X2…Xn组；所述X1，X2…Xn共同组成X组； 选取同一一级分组下不同二级分组间读干扰次数相同的三级分组，提取错误数相近和或变化趋势相同的wordline组成Y1，Y2…Ym组；所述Y1，Y2…Ym共同组成Y组； 选取同一二级分组下的全部三级分组，提取错误数相近和或变化趋势相同的wordline组成Z1，Z2…Zs组；所述Z1，Z2…Zs共同组成Z组； S10将X组、Y组及Z组融合为A组，所述A组中包括A1、A2、A3…Ap组，所述A1、A2、A3…Ap组为X1，X2…Xn组、Y1，Y2…Ym组、Z1，Z2…Zs组交集的顺序排列； S11以A1、A2、A3…Ap组所分别对应的电压轴读取block。

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